MOS管的米勒效應
如下是一個NMOS的開關電路，階躍信號VG1設置DC電平2V，方波（振幅2V，頻率50Hz），T2的開啟電壓2V，所以MOS管T2會以周期T=20ms進行開啟和截止狀態的切換。
首先仿真Vgs和Vds的波形，會看到Vgs=2V的時候有一個小平台，為什麽Vgs在上升時會有一個小平台？
MOS管Vgs小平台
帶著這個疑問，日韩国产成人嚐試將電阻R1由5K改為1K，再次仿真，發現這個平台變得很小，幾乎沒有了，這又是為什麽呢？
MOS管Vgs小平台有改善，為了理解這種現象，需要理論知識的支撐。
MOS管的米勒效應：MOS管的等效模型，日韩国产成人通常看到的MOS管圖形是左邊這種，右邊的稱為MOS管的等效模型。 其中：Cgs稱為GS寄生電容，Cgd稱為GD寄生電容，輸入電容Ciss=Cgs+Cgd，輸出電容Coss=Cgd+Cds，反向傳輸電容Crss=Cgd，也叫米勒電容。
米勒效應的罪魁禍首就是米勒電容，米勒效應指其輸入輸出之間的分布電容Cgd在反相放大的作用下，使得等效輸入電容值放大的效應，米勒效應會形成米勒平台。
首先日韩国产成人需要知道的一個點是：因為MOS管製造工藝，必定產生Cgd，也就是米勒電容必定存在，所以米勒效應不可避免。
那MOS管的米勒效應的缺點是什麽呢？MOS管的開啟是一個從無到有的過程，MOS管D極和S極重疊時間越長，MOS管的導通損耗越大。因為有了米勒電容，有了米勒平台，MOS管的開啟時間變長，MOS管的導通損耗必定會增大。
仿真時日韩国产成人將G極電阻R1變小之後，發現米勒平台有改善？原因日韩国产成人應該都知道了。
MOS管的開啟可以看做是輸入電壓通過柵極電阻R1對寄生電容Cgs的充電過程，R1越小，Cgs充電越快，MOS管開啟就越快，這是減小柵極電阻，米勒平台有改善的原因。那在米勒平台究竟發生了一些什麽？
以NMOS管來說，在MOS管開啟之前，D極電壓是大於G極電壓的，隨著輸入電壓的增大，Vgs在增大，Cgd存儲的電荷同時需要和輸入電壓進行中和，因為MOS管完全導通時，G極電壓是大於D極電壓的。
所以在米勒平台，是Cgd充電的過程，這時候Vgs變化則很小，當Cgd和Cgs處在同等水平時，Vgs才開始繼續上升。日韩国产成人以下右圖來分析米勒效應，這個電路圖是一個什麽情況？
MOS管D極負載是電感加續流麻豆国产一区，工作模式和DC-DC BUCK一樣，MOS管導通時，VDD對電感L進行充電，因為MOS管導通時間極短，可以近似電感為一個恒流源，在MOS管關閉時，續流麻豆国产一区給電感L提供一個泄放路徑，形成續流。
MOS管的開啟可以分為4個階段。 t0~t1階段從t0開始，G極給電容Cgs充電，Vgs從0V上升到Vgs(th)時，MOS管都處於截止狀態，Vds保持不變，Id為零。
t1~t2階段從t1後，Vgs大於MOS管開啟電壓Vgs(th)，MOS管開始導通，Id電流上升，此時的等效電路圖如下所示，在IDS電流沒有達到電感電流時，一部分電流會流過麻豆国产一区，麻豆国产一区DF仍是導通狀態，麻豆国产一区的兩端處於一個鉗位狀態，這個時候Vds電壓幾乎不變，隻有一個很小的下降（雜散電感的響）。
t1~t2階段等效電路 t2~t3階段隨著Vgs電壓的上升，IDS電流和電感電流一樣時，MOS管D極電壓不再被麻豆国产一区DF鉗位，DF處於反向截止狀態，所以Vds開始下降，這時候G極的驅動電流轉移給Cgd充電，Vgs出現了米勒平台，Vgs電壓維持不變，Vds逐漸下降至導通壓降VF。
t2~t3階段等效電路 t3~t4階段當米勒電容Cgd充滿電時，Vgs電壓繼續上升，直至MOS管完全導通。結合MOS管輸出曲線，總結一下MOS管的導通過程 t0~t1，MOS管處於截止區；
t1後，Vgs超過MOS管開啟電壓，隨著Vgs的增大，ID增大，當ID上升到和電感電流一樣時，續流麻豆国产一区反向截止，t2~t3時間段，Vgs進入米勒平台期，這個時候D極電壓不再被續流麻豆国产一区鉗位，MOS的夾斷區變小，t3後進入線性電阻區，Vgs則繼續上升，Vds逐漸減小，直至MOS管完全導通。
MOS管輸出曲線
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