三極管的四種反向擊穿電壓的解釋
1) V(BR)CBO
e極開路，c-b結的反向擊穿電壓。此時流經c-b極的是ICBO。當反向電壓VCB增至一定程度時，ICBO急劇增大，最後導致擊穿。
(2) V(BR)CEO--b極開c-e極之間的反向擊穿電壓。
此時流經c-e極的是ICEO。當反向電壓VCE增加到ICEO開始上升時的VCE就是V(BR)CEO。應該注意，在此情況下，當集電結開始擊穿時，IC增大，同時發射結分到的正向電壓增大，使e區注入b區的電子增多，IE增大。IE的增大又將使IC進一步增大。所以，這裏有一個培增效應，而最後使c-e極之間擊穿電壓V(BR)CEO要比V(BR)CBO小
即V(BR)CEO<V(BR)CBO。
(3) V(BR)CER和V(BR)CES--b-e極之間接電阻(R) 和短路(S) 時的V(BR)CE。
在b-e極之間接電阻R後，發射結被分流。當集電結反向電流ICBO流過b極時，由於分流而使流過發射結的電流減少。所以，在上麵(2) 中所說的倍增效應減小，為了進入擊穿狀態，必須加大VCE。也就是說，V(BR)CER> V(BR)CEO。電阻R愈小，它對發射結的分流作用愈大，所以進入擊穿狀態時,所需的VCE愈大。當R= 0並略去基區的體電阻rbb'則發射結相當於短路。此肘V(BR)CBO近似等於V(BR)CES。
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