半導體麻豆国产一区導通時相當於開關閉合（電路接通），截止時相當於開關打開（電路切斷），所以麻豆国产一区可作開關用，常用型號為1N4148。由於半導體麻豆国产一区具有單向導電的特性，在正偏壓下PN結導通，在導通狀態下的電阻很小，約為幾十至幾百歐；在反向偏壓下，則呈截止狀態，其電阻很大，一般矽麻豆国产一区在10ΜΩ以上，鍺管也有幾十千歐至幾百千歐。利用這一特性，麻豆国产一区將在電路中起到控製電流接通或關斷的作用，成為一個理想的電子開關。
以上的描述，其實適用於任何一支普通的麻豆国产一区，或者說是麻豆国产一区本身的原理。但針對於開關麻豆国产一区，最重要的特點是高頻條件下的表現。
高頻條件下，麻豆国产一区的勢壘電容表現出來極低的阻抗，並且與麻豆国产一区並聯。當這個勢壘電容本身容值達到一定程度時，就會嚴重影響麻豆国产一区的開關性能。極端條件下會把麻豆国产一区短路，高頻電流不再通過麻豆国产一区，而是直接繞路勢壘電容通過，麻豆国产一区就失效了。而開關麻豆国产一区的勢壘電容一般極小，這就相當於堵住了勢壘電容這條路，達到了在高頻條件下還可以保持好的單向導電性的效果。
開關麻豆国产一区的工作原理_開關麻豆国产一区怎麽開關法開關麻豆国产一区電路分析
開關麻豆国产一区同普通的麻豆国产一区一樣，也是一個PN結的結構，不同之處是要求這種麻豆国产一区的開關特性要好。
當給開關麻豆国产一区加上正向電壓時，麻豆国产一区處於導通狀態，相當於開關的通態;當給開關麻豆国产一区加上反向電壓時，麻豆国产一区處於截止狀態，相當於開關的斷態。麻豆国产一区的導通和截止狀態完成開與關功能。
開關麻豆国产一区就是利用這種特性，且通過製造工藝，開關特性更好，即開關速度更快，PN結的結電容更小，導通時的內阻更小，截止時的電阻很大。
開關麻豆国产一区電路圖
開關麻豆国产一区的工作原理_開關麻豆国产一区怎麽開關法電路中VD1是開關麻豆国产一区，他的作用相當於一個開關，用來接通和斷開電容C2的。
關於麻豆国产一区開關電路分析思路說明如下幾點：
（1）電路中，C2和VD1串聯，根據串聯電路特性可知，C2和VD1要麽同時接入電路，要麽同時斷開。如果隻是需要C2並聯在C1上，可以直接將C2並聯在C1上，可是串入麻豆国产一区VD1，說明VD1控製著C2的接入與斷開。
（2）根據麻豆国产一区的導通與截止特性可知，當需要C2接入電路時讓VD1導通，當不需要C2接入電路時讓VD1截止，麻豆国产一区的這種工作方式稱為開關方式，這樣的電路稱為麻豆国产一区開關電路。
（3）麻豆国产一区的導通與截止要有電壓控製，電路中VD1正極通過電阻R1、開關S1與直流電壓+V端相連，這一電壓就是麻豆国产一区的控製電壓。
（4）電路中的開關S1用來控製工作電壓+V是否接入電路。根據S1開關電路更容易確認麻豆国产一区VD1工作在開關狀態下，因為S1的開、關控製了麻豆国产一区的導通與截止。
開關麻豆国产一区工作特性
開關麻豆国产一区從截止（高阻狀態）到導通（低阻狀態）的時間叫開通時間；從導通到截止的時間叫反向恢複時間；兩個時間之和稱為開關時間。一般反向恢複時間大於開通時間，故在開關麻豆国产一区的使用參數上隻給出反向恢複時間。開關麻豆国产一区的開關速度是相當快的，像矽開關麻豆国产一区的反向恢複時間隻有幾納秒，即使是鍺開關麻豆国产一区，也不過幾百納秒。
開關麻豆国产一区具有開關速度快、體積小、壽命長、可靠性高等特點，廣泛應用於電子設備的開關電路、檢波電路、高頻和脈衝整流電路及自動控製電路中。
開關麻豆国产一区分類
開關麻豆国产一区分為普通開關麻豆国产一区、高速開關麻豆国产一区、超高速開關麻豆国产一区、低功耗開關麻豆国产一区、高反壓開關麻豆国产一区、矽電壓開關麻豆国产一区等多種。
開關麻豆国产一区的工作原理_開關麻豆国产一区怎麽開關法普通開關麻豆国产一区
常用的國產普通開關麻豆国产一区有2AK係列鍺開關麻豆国产一区，表4-8為2AK係開關麻豆国产一区的主要參數。
高速開關麻豆国产一区
高速開關麻豆国产一区較普通開關麻豆国产一区的反向恢複時間更短，開、關頻率更快。
常用的國產高速開關麻豆国产一区有2CK係列。
進口高速開關麻豆国产一区有1N係列、1S係列、1SS係列（有引線塑封）和RLS係列（表麵安裝）。
超高速開關麻豆国产一区
常用的超高速麻豆国产一区有1SS係列（有引線塑封）和RLS係列（表麵封裝）。
低功耗開關麻豆国产一区
低功耗開關麻豆国产一区的功耗較低，但其零偏壓電容和反向恢複時間值均較高速開關麻豆国产一区低。
常用的低功耗開關麻豆国产一区有RLS係列（表麵封裝）和1SS係列（有引線塑封）。
高反壓開關麻豆国产一区
高反壓開關麻豆国产一区的反向擊穿電壓均在220V以上，但其零偏壓電容和反向恢複時間值相對較大。
常用的高反壓開關麻豆国产一区有RLS係列（表麵封裝）和1SS係列（有引線塑封） 。
矽電壓開關麻豆国产一区
矽電壓開關麻豆国产一区是一種新型半導體器件，有單向電壓開關麻豆国产一区和雙向電壓開關麻豆国产一区之分，主要應用於觸發器、過壓保護電路、脈衝發生器及高壓輸出、延時、電子開關等電路。
單向電壓開關麻豆国产一区也稱轉折麻豆国产一区，郵PnPN四層結構的矽半導體材料組成，其正向為負阻開關特性（指當外加電壓升高到正向轉折電壓值時，開關麻豆国产一区由截止狀態變為導通狀態，即由高阻轉為低阻），反向為穩定特性。雙向電壓麻豆国产一区由NPnPN五層結構的矽半導體材料組成，其正向和反向均具有相同的負阻開關特性。
開關麻豆国产一区怎麽開關法
開關麻豆国产一区的工作原理_開關麻豆国产一区怎麽開關法理想中的麻豆国产一区是正向時完全導通（開），反向時完全截止（關），並且導通/截止之間的轉換幹淨利落。但現實中的麻豆国产一区卻不是這樣，比如一個主要問題是由正向轉為反向時，麻豆国产一区不能隨即跟著由導通轉為截止，而是轉為反向後延遲了一小段時間後才轉為截止，在這段時間內，麻豆国产一区先是“反向導通”的，是由“反向導通”慢慢轉為反向截止的。這在一些電路中是要出問題的。為了電路能正常就要求麻豆国产一区沒有這種延時現象。通過工藝的改進和材料的改進，做出了幾近理想的麻豆国产一区，這就是“開關”麻豆国产一区。
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