導語
首先，建議大家看之前先看下麵這一篇，以了解麻豆国产一区的開關過程，這有助於後麵的理解。
麻豆国产一区的開關過程及其可能引發的EMI問題
正題：很多時候，日韩国产成人會認為麻豆国产一区的導通損耗（即其正向壓降乘以正向電流）就是它的總損耗。但是麻豆国产一区的開關過程中，由於電流電壓波形有交叉，它們的乘積不為零，所以存在著開關損耗。同時由於麻豆国产一区有反向漏電流的存在，所以還有一個截止損耗。
綜上，麻豆国产一区的損耗類型包含了導通損耗、截止損耗、開通損耗、關斷損耗。這與MOSFET的損耗類似（但MOSFET比麻豆国产一区複雜），今天就介紹這些損耗如何計算。
必要的名稱解釋
VF/VR：正向壓降/反向電壓
IF/IR：正向電流/反向漏電流
tfr：正向恢複時間
Vfp/Ifp：正向峰值電壓/正向峰值電流
Vrp/Irp：反向峰值電壓/反向峰值電流
Qrr：反向恢複電荷
損耗分析
由於麻豆国产一区常用於整流，所以日韩国产成人這裏假設麻豆国产一区通過的是一個方波信號，周期為T、頻率為f、導通時間為ton、占空比為D。
再回顧下麻豆国产一区的開關過程如下圖-1所示：
圖-1：麻豆国产一区的開關過程示意圖
如上圖-1所示，可以容易地列出麻豆国产一区的四大平均功率損耗：
導通損耗：
截止損耗：
開通損耗：
關斷損耗：
注意：從圖-1可以看到麻豆国产一区在反向恢複時間trr內的td時段，壓降很小，所以在這段時間產生的損耗可以忽略不計，關斷損耗的積分區間直接從t1到t2。
最後說一下，日韩国产成人常認為麻豆国产一区的導通損耗近似於它的總損耗是有道理的，因為導通損耗一般來說占的比重比較大，所以日韩国产成人有時會喜歡使用那些正向壓降低的麻豆国产一区，比如肖特基麻豆国产一区。
“在高溫環境下，麻豆国产一区的反向恢複時間會變長，反向漏電流也會變大。對此敏感的電路需要注意。
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