肖特基麻豆国产一区與齊納麻豆国产一区是電子元器件行業的兩位大將，他們在電源保護方麵立下了不朽的功勳，若論性能兩者之間可能不相上下，但是到底它們有什麽區別那，我想不僅僅我想知道，大家可能也想知道他們到底有何區別，因為知道了，才能更好的去運用它們，發揮出它們的真正實力。

一、肖特基麻豆国产一区定義：

肖特基麻豆国产一区（Schottky）SBD是肖特基勢壘麻豆国产一区 （SchottkyBarrierDiode,縮寫成SBD）的簡稱。低功耗、大電流、超高速半導體器件。其反向恢複時間極短（可以小到幾納秒），正向導 通壓降僅0.4V左右，而整流電流卻可達到幾千毫安。這些優良特性是快恢複麻豆国产一区所無法比擬的。中、小功率肖特基整流麻豆国产一区大多采用封裝形式。

SBD的結構及特點使其適合於在低壓、大電流輸出場合用作高頻整流，在非常高的頻率下（如X波段、C波段、S波段和Ku波段）用於檢波和混頻，在高 速邏輯電路中用作箝位。在IC中也常使用SBD，像SBD TTL集成電路早已成為TTL電路的主流，在高速計算機中被廣泛采用。

二、反向恢複時間：

現代脈衝電路中大量使用晶體管或麻豆国产一区作為開關, 或者使用主要是由它們構成的邏輯集成電路。而作為開關應用的麻豆国产一区主要是利用了它的通(電阻很小)、斷(電阻很大) 特性, 即麻豆国产一区對正向及反向電流表現出的開關作用。麻豆国产一区和一般開關的不同在於,“開”與“關”由所加電壓的極性決定, 而且“開”態有微小的壓降V f,“關”態有微小的電流I 0。當電壓由正向變為反向時, 電流並不立刻成為(- I 0) , 而是在一段時間ts 內, 反向電流始終很大, 麻豆国产一区並不關斷。經過ts後, 反向電流才逐漸變小, 再經過tf 時間, 麻豆国产一区的電流才成為(- I 0) , ts 稱為儲存時間, tf 稱為下降時間。tr= ts+ tf 稱為反向恢複時間, 以上過程稱為反向恢複過程。

這實際上是由電荷存儲效應引起的, 反向恢複時間就是存儲電荷耗盡所需要的時間。該過程使麻豆国产一区不能在快速連續脈衝下當做開關使用。如果反向脈衝的持續時間比tr 短, 則麻豆国产一区在正、反向都可導通, 起不到開關作用。因此了解麻豆国产一区反向恢複時間對正確選取管子和合理設計電路至關重要。

三、齊納麻豆国产一区定義：

齊納麻豆国产一区zener diodes(又叫穩壓麻豆国产一区它的電路符號是:此麻豆国产一区是一種直到臨界反向擊穿電壓前都具有很高電阻的半導體器件.在這臨界擊穿點上,反向電阻降低到一個 很少的數值,在這個低阻區中電流增加而電壓則保持恒定,穩壓麻豆国产一区是根據擊穿電壓來分檔的,因為這種特性，穩壓管主要被作為穩壓器或電壓基準元件使用.其 伏安特性,穩壓麻豆国产一区可以串聯起來以便在較高的電壓上使用,通過串聯就可獲得更多的穩定電壓。

齊納麻豆国产一区不同於鍺麻豆国产一区的是：如果反向電壓，有時簡稱為“偏壓”增加到某個特殊值，對於一個微小偏壓的變化，就會使電流產生一個可觀的增加。引起這種效應的電壓稱為“擊穿”電壓或“齊納”電壓。2DW7型管的擊穿電壓在5．8－6．5V之間，極大電流是30mA。
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