整流麻豆国产一区
知識介紹：一種將交流電能轉變為直流電能的半導體器件。通常它包含一個PN結，有正極和負極兩個端子，具有單向導電性，主要用於各種低頻整流電路。
常用型號：1N5398、FR107、FR104、SB3B0、GN1M、US1K、US1M、US1J、MBR3100、FR106、IN4007、UF4007、MBR3100、1N5399、FR106、1N4007、HER107、1SR154-600TE25
整流橋
知識介紹：整流橋也叫橋堆，就是將整流管封在一個殼內，分全橋和半橋。全橋內含四個麻豆国产一区，半橋內含兩個麻豆国产一区，用兩個半橋可組成一個橋式整流電路，多用於大電流的整流。
常用型號：DB107S、GBU10M-BP、D15XB60、MB6S、D15XB80、D25SB60-T、KBJ1006、GBJ1506、GBJ1008、SR5100L、D3SB60、D25XB60、D2SB60、GBJ25J 、RS405M、TS4B05G、KBL406、KBJ2506、G5SBA80、GBJ606
開關麻豆国产一区
知識介紹：開關麻豆国产一区是麻豆国产一区的一種，是為在電路上進行"開"、"關"而特殊設計製造的一類麻豆国产一区。它由導通變為截止或由截止變為導通所需的時間比一般麻豆国产一区短，主要用於電子計算機、脈衝和開關電路中。
常用型號：BAV99、1N4148W、LL34、BAV99、BAW56、1N4148、LL4148SG、PMLL4148L、BAV99、L1SS181LT1G
快恢複麻豆国产一区
知識介紹：快恢複麻豆国产一区（FRD）是一種具有開關特性好、反向恢複時間短特點的半導體麻豆国产一区，其反向恢複時間較短，正向壓降較低，反向擊穿電壓（耐壓值）較高。主要應用於開關電源、PWM脈寬調製器、變頻器等電子電路中，作為高頻整流麻豆国产一区、續流麻豆国产一区或阻尼麻豆国产一区使用。
選型建議：選用時著重額定電流、反向電壓和反向恢複時間。
常用型號：ES1J、US1M-13-F、UF4007-E3/73、DSEC30-06A、US1J、BYV26C、RFN2L6STE25、ER106、FFA30U60DN
肖特基麻豆国产一区
知識介紹：肖特基（Schottky）麻豆国产一区是貴金屬（金、銀、鋁、鉑等）為正極，以N型半導體為負極，利用二者接觸麵上形成的勢壘具有整流特性而製成的金屬-半導體器件。是一種快恢複麻豆国产一区,它屬一種低功耗、超高速半導體器件。其顯著的特點為反向恢複時間極短（可以小到幾納秒），正向導通壓降僅0.4V左右，多用作高頻、低壓、大電流整流。
常用型號：BAT54C、SB3150、BAT54A、SS36、SS14、MBR1100、MBR3100、SB1100、ER302
穩壓麻豆国产一区
知識介紹：穩壓麻豆国产一区，又叫齊納麻豆国产一区。利用pn結反向電流可在很大範圍內變化而電壓基本不變的現象，達到穩壓作用的麻豆国产一区。工作在反向擊穿區，主要作為穩壓器使用。
常用型號：1N4746A-TAP、、IN4749A、1N4756AM、BZX79-C15、SMAZ5V1-13-F、SMAZ20-13-F、TZM5246B-GS08、BZT52C15、BZT52C18、1N5408、ZMM22、ZMM5V1、LEDZ5.6BT1G、DDZ15、SMAJ4747A、BZT52C9V1、UDZVTE-1710B、KDZV18B、1N5948B、1N5240B
檢波麻豆国产一区
知識介紹：檢波（也稱解調）麻豆国产一区的作用是利用其單向導電性將高頻或中頻無線電信號中的低頻信號或音頻信號取出來，它的接觸麵積小，不能通過大的電流，結電容也較小，頻率特性好，適用於高頻信號的檢波。
瞬態電壓抑製麻豆国产一区
知識介紹：瞬態麻豆国产一区（TVS），是一種麻豆国产一区形式的高效能保護器件。當TVS麻豆国产一区的兩極受到反向瞬態高能量衝擊時，它能以10的負12次方秒量級的速度，將其兩極間的高阻抗變為低阻抗，吸收高達數千瓦的浪湧功率，使兩極間的電壓箝位於一個預定值，有效地保護電子線路中的精密元器件，免受各種浪湧脈衝的損壞。
選型建議：
1.為滿足IEC61000-4-2國際標準，TVS管必須達到可以處理最8kV(接觸)和15kV(空氣)的ESD衝擊
2.最大峰值脈衝功耗PM是TVS能承受的最大峰值脈衝功耗值。另外，峰值脈衝功耗還與脈衝波形、持續時間和環境溫度有關，如果電路內出現重複性脈衝，應考慮脈衝功率的累積，有可能損壞TVS。
3.VRWM應等於或略高於電路的正常工作電壓，VBR不能小於電路的最大允許工作電壓。
觸發麻豆国产一区
知識介紹：觸發麻豆国产一区相當於兩個反方向並聯的麻豆国产一区，是一種雙方向皆可導通的麻豆国产一区。常用來觸發雙向可控矽 ，在電路中作過壓保護等用途。
選型建議：在實際應用中，應選擇轉折電流Ibo小、轉折電壓偏差△Ub小的觸發麻豆国产一区
變容麻豆国产一区
知識介紹：變容麻豆国产一区也稱為壓控變容器，是根據所提供的電壓變化而改變結電容的半導體，反偏電壓愈大，則結電容愈小。在高頻調諧、通信等電路中作可變電容器使用
選型建議：選用變容麻豆国产一区時，要注意結電容和電容變化範圍。使用變容麻豆国产一区時，要避免變容麻豆国产一区的直流控製電壓與振蕩電路直流供電係統之間的相互影響，通常采用電感或大電阻來作兩者的隔離。另外，變容麻豆国产一区的工作點要選擇合適，即直流反偏壓要選適當。一般要選用相對容量變化大的反向偏壓小的變容麻豆国产一区。
氣體放電管
知識介紹：氣體放電管采用陶瓷密閉封裝，內部由兩個或數個帶間隙的金屬電極，充以惰性氣體（氬氣或氖氣）構成，電路外加電壓過高時，氣體擊穿放電。常用於多級保護電路中的第一級或前兩級，起泄放雷電暫態過電流和限製過電壓作用。
選型建議：防雷電路的設計中，氣體放電管的直流擊穿電壓、衝擊擊穿電壓、通流容量等參數為關鍵因素。設置在普通交流線路上的放電管，要求它在線路正常運行電壓及其允許的波動範圍內不能動作，則它的直流放電電壓應滿足：min(ufdc)≥1.8UP。式中ufdc直流擊穿電壓，min(ufdc)表示直流擊穿電壓的最小值。UP為線路正常運行電壓的峰值。
常用型號：RA-362M-V7
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