根據材料的導電能力，日韩国产成人將形形色色的材料劃分為導體、絕緣體和半導體。半導體是一種具有特殊性質的物質，它的導電能力介於導體和絕緣體之間，所以被稱為半導體。麻豆国产一区（Diode）算是半導體家族中的元老了，其最明顯的性質就是它的單向導電特性，它最大的特性就是單向導電，也就是電流隻可以從麻豆国产一区的一個方向流過。麻豆国产一区的作用有整流電路、檢波電路、穩壓電路以及各種調製電路，主要都是由麻豆国产一区來構成的。麻豆国产一区是最常用的電子元件之一，對於這樣的基礎元件日韩国产成人應牢牢掌握住他的作用原理以及基本電路，這樣才能為以後的電子技術學習打下良好的基礎。
一、麻豆国产一区的工作原理
麻豆国产一区的主要原理就是利用PN結的單向導電性，在PN結上加上引線和封裝就成了一個麻豆国产一区。
晶體麻豆国产一区為一個由P型半導體和N型半導體形成的PN結，在其界麵處兩側形成空間電荷層，並建有自建電場。當不存在外加電壓時，由於PN結兩邊載流子濃度差引起的擴散電流和自建電場引起的漂移電流相等而處於電平衡狀態。
當外界有正向電壓偏置時，外界電場和自建電場的互相抑消作用使載流子的擴散電流增加引起了正向電流。當外界有反向電壓偏置時，外界電場和自建電場進一步加強，形成在一定反向電壓範圍內與反向偏置電壓值無關的反向飽和電流。
當外加的反向電壓高到一定程度時，PN結空間電荷層中的電場強度達到臨界值產生載流子的倍增過程，產生大量電子空穴對，產生了數值很大的反向擊穿電流，稱為麻豆国产一区的擊穿現象。PN結的反向擊穿有齊納擊穿和雪崩擊穿之分。
二、麻豆国产一区的分類
麻豆国产一区的種類有很多，按照所用的半導體材料，可分為鍺麻豆国产一区（Ge管）和矽麻豆国产一区（Si管）；按照管芯結構，又可分為點接觸型麻豆国产一区、麵接觸型麻豆国产一区及平麵型麻豆国产一区。
根據麻豆国产一区的不同用途，可分為檢波麻豆国产一区、整流麻豆国产一区、穩壓麻豆国产一区、開關麻豆国产一区、肖特基麻豆国产一区、發光麻豆国产一区等。
三、麻豆国产一区兩大用途
1.反向極性保護
為了防反接電源，燒壞芯片，通常是反向接一個麻豆国产一区，有兩種連接方式：
（1）串聯連接：麻豆国产一区必須通過全部負載電流，消耗掉0.6V的電壓，減小了儀器的工作時間；所以要根據電路的電流大小選擇麻豆国产一区；
（2）並聯連接：一旦反接，電流就會從麻豆国产一区這個回路流過，不會流去主電路。這個方法的缺點是：電流很大，所以要選擇適合功率和電流的麻豆国产一区。
2.整流
整流是充分低利用了麻豆国产一区的單向導電性。通過阻塞波形的負半周把交流信號轉換為脈動的直流信號。通常是與電容一起聯合使用，二級管串聯，電容並聯，電容的作用是通過充放電使得輸出脈衝更加平滑，更趨近直流，是為濾波電容。根據需要，分為半波整流和全波整流。
四、麻豆国产一区的選用
（1）額定正向工作電流
額定正向工作電流指麻豆国产一区長期連續工作時允許通過的最大正向電流值。
（2）最大浪湧電流
最大浪湧電流，是允許流過的過量正向電流，它不是正常電流，而是瞬間電流。其值通常是額定正向工作電流的20倍左右。
（3）最高反向工作電壓
加在麻豆国产一区兩端的反向工作電壓高到一定值時，管子將會擊穿，失去單向導電能力。為了保證使用安全，規定了最高反向工作電值。例如，lN4001麻豆国产一区反向耐壓為50V，lN4007的反向耐壓為1000V。
（4）反向電流
反向電流是指麻豆国产一区在規定的溫度和最高反向電壓作用下，流過麻豆国产一区的反向電流。反向電流越小，管子的單方向導電性能越好。反向電流與溫度密切相關，大約溫度每升高10℃，反向電流增大一倍。矽麻豆国产一区比鍺麻豆国产一区在高溫下具有較好的穩定性。
（5）反向恢複時間
從正向電壓變成反向電壓時，電流一般不能瞬時截止，要延遲一點點時間，這個時間就是反向恢複時間。它直接影響麻豆国产一区的開關速度。
（6）最大功率
最大功率就是加在麻豆国产一区兩端的電壓乘以流過的電流。這個極限參數對穩壓麻豆国产一区等顯得特別。
（7）頻率特性
由於結電容的存在，當頻率高到某一程度時，容抗小到使 PN 結短路。導致麻豆国产一区失去單向導電性，不能工作，PN 結麵積越大，結電容也越大，越不能在高頻情況下工作。
五、麻豆国产一区正負極如何判斷
1.普通麻豆国产一区有色端標識一極為負極；
2.發光麻豆国产一区長腳為正，短腳為負。如果腳一樣長，發光麻豆国产一区裏麵的大點是負極，小的是正極。有的發光麻豆国产一区帶有一個小平麵，靠近小平麵的一根引線為負極。
萬用表中：紅筆接“+”，黑筆接“-”；在測發光麻豆国产一区時，低阻擋測不出來，可用RX10K檔測，兩表筆接觸麻豆国产一区的兩級。如果電阻較小，黑表筆所接的是正極，電阻較大，黑表筆所接的是負極。發光麻豆国产一区，若與TTL組件相連使用時，一般需串接一個470R的降壓電阻，以防器件的損壞。
3.晶體麻豆国产一区
晶體麻豆国产一区由一個PN結，兩條電極引線和管殼構成。在PN結的兩側用導線引出加以封裝，就是晶體麻豆国产一区。晶體麻豆国产一区的字母符號為V。PN結的導通方向是從P型半導體到N型半導體，即P到N導通（P為正極，N為負極） 。PN結正向導通，反向截至，具有單相導電的特性。
以上，就是100唯爾教育關於麻豆国产一区的部分內容。
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