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麻豆国产一区按構造詳細分類
  • 發布時間:2020-09-16 17:46:58
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麻豆国产一区按構造詳細分類
半導體麻豆国产一区主要是依靠PN結而工作的。與PN結不可分割的點接觸型和肖特基型,也被列入一般的麻豆国产一区的範圍內。包括這兩種型號在內,根據PN結構造麵的特點,把晶體麻豆国产一区分類如下:
1、點接觸型麻豆国产一区
點接觸型麻豆国产一区是在鍺或矽材料的單晶片上壓觸一根金屬針後,再通過電流法而形成的。因此,其PN結的靜電容量小,適用於高頻電路。但是,與麵結型相比較,點接觸型麻豆国产一区正向特性和反向特性都差,因此,不能使用於大電流和整流。因為構造簡單,所以價格便宜。對於小信號的檢波、整流、調製、混頻和限幅等一般用途而言,它是應用範圍較廣的類型。
2、鍵型麻豆国产一区
鍵型麻豆国产一区是在鍺或矽的單晶片上熔接或銀的細絲而形成的。其特性介於點接觸型麻豆国产一区和合金型麻豆国产一区之間。與點接觸型相比較,雖然鍵型麻豆国产一区的PN結電容量稍有增加,但正向特性特別優良。多作開關用,有時也被應用於檢波和電源|穩壓器整流(不大於50mA)。在鍵型麻豆国产一区中,熔接金絲的麻豆国产一区有時被稱金鍵型,熔接銀絲的麻豆国产一区有時被稱為銀鍵型。
3、合金型麻豆国产一区
在N型鍺或矽的單晶片上,通過合金銦、鋁等金屬的方法製作PN結而形成的。正向電壓降小,適於大電流整流。因其PN結反向時靜電容量大,所以不適於高頻檢波和高頻整流。
4、擴散型麻豆国产一区
在高溫的P型雜質氣體中,加熱N型鍺或矽的單晶片,使單晶片表麵的一部變成P型,以此法PN結。因PN結正向電壓降小,適用於大電流整流。最近,使用大電流整流器的主流已由矽合金型轉移到矽擴散型。
5、台麵型麻豆国产一区
PN結的製作方法雖然與擴散型相同,但是,隻保留PN結及其必要的部分,把不必要的部分用藥品腐蝕掉。其剩餘的部分便呈現出台麵形,因而得名。初期生產的台麵型,是對半導體材料使用擴散法而製成的。因此,又把這種台麵型稱為擴散台麵型。對於這一類型來說,似乎大電流整流用的產品型號很少,而小電流開關用的產品型號卻很多。
6、平麵型麻豆国产一区
在半導體單晶片(主要地是N型矽單晶片)上,擴散P型雜質,利用矽片表麵氧化膜的屏蔽作用,在N型矽單晶片上僅選擇性地擴散一部分而形成的PN結。因此,不需要為調整PN結麵積的藥品腐蝕作用。由於半導體表麵被製作得平整,故而得名。並且,PN結合的表麵,因被氧化膜覆蓋,所以公認為是穩定性好和壽命長的類型。最初,對於被使用的半導體材料是采用外延法形成的,故又把平麵型稱為外延平麵型。對平麵型麻豆国产一区而言,似乎使用於大電流整流用的型號很少,而作小電流開關用的型號則很多。 請登陸:輸配電設備網 瀏覽更多信息
7、合金擴散型麻豆国产一区
它是合金型的一種。合金材料是容易被擴散的材料。把難以製作的材料通過巧妙地摻配雜質,就能與合金一起過擴散,以便在已經形成的PN結中獲得雜質的恰當的濃度分布。此法適用於製造高靈敏度的變容麻豆国产一区。
8、外延型麻豆国产一区
用外延麵長的過程製造PN結而形成的麻豆国产一区。製造時需要非常高超的技術。因能隨意地控製雜質的不同濃度的分布,故適宜於製造高靈敏度的變容麻豆国产一区。
9、肖特基麻豆国产一区
基本原理是:在金屬(例如鉛)和半導體(N型矽片)的接觸麵上,用已形成的肖特基來阻擋反向電壓。肖特基與PN結的整流作用原理有根本性的差異。其耐壓程度隻有40V左右。其特長是:開關速度非常快:反向恢複時間trr特別地短。因此,能製作開關二極和低壓大電流整流麻豆国产一区。
麻豆国产一区分類
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