由於不間斷電源的興起，IGBT技術得以飛速發展。IGBT的特點是具有電流拖尾效應，因此在關斷的瞬間對於抗幹擾的性能要求非常嚴格，需要負壓驅動進行輔助。當MOSFET作用在電路中時，由於MOSFET速度比較快，因此關斷過程中不會產生負壓，但值得一提的是，在幹擾較重的情況下，這一現象是有助於提高可靠性的。本文將針對IGBT以及MOSFET器件的隔離驅動技術進行大致的介紹，幫助大家理解。
MOSFET以及IGBT絕緣柵雙極性大功率管等器件的源極和柵極之間是絕緣的二氧化矽結構，直流電不能通過，因而低頻的表態驅動功率接近於零。但是柵極和源極之間構成了一個柵極電容Cgs，因而在高頻率的交替開通和需要關斷時需要一定的動態驅動功率。小功率MOSFET的Cgs一般在10-100pF之內，對於大功率的絕緣柵功率器件，由於柵極電容Cgs較大。一般在1-100nF之間，因而需要較大的動態驅動功率。更由於漏極到柵極的密勒電容Cdg，柵極驅動功率往往是不可忽視的。
因IGBT具有電流拖尾效應，在關斷時要求更好的抗幹擾性，需要負壓驅動。MOSFET速度比較快，關斷時可以沒有負壓，但在幹擾較重時，負壓關斷對於提高可靠性有很大好處。
隔離驅動技術
為可靠驅動絕緣柵器件，目前已有很多成熟電路。當驅動信號與功率器件不需要隔離時，驅動電路的設計是比較簡單的，目前也有了許多優秀的驅動集成電路。
光電耦合器隔離的驅動器
光電耦合器的優點是體積小巧，缺點是反應較慢，因而具有較大的延遲時間(高速型光耦一般也大於300ns);光電耦合器的輸出級需要隔離的輔助電源供電。
無源變壓器驅動
用脈衝變壓器隔離驅動絕緣柵功率器件有三種方法：無源、有源和自給電源驅動。無源方法就是用變壓器次級的輸出直流驅動絕緣柵器件，這種方法很簡單也不需要單獨的驅動電源。缺點是輸出波型失真較大，因為絕緣柵功率器件的柵源電容Cgs一般較大。減小失真的辦法是將初級的輸入信號改為具有一定功率的大信號，相應脈衝變壓器也應取較大體積，但在大功率下，一般仍不令人滿意。另一缺點是當占空比變化較大時，輸出驅動脈衝的正負幅值變化太大，可能導致工作不正常，因此隻適用於占空比變化不大的場合。
有源變壓器驅動
有源方法中的變壓器隻提供隔離的信號，在次級另有整形放大電路來驅動絕緣柵功率器件，當然驅動波形較好，但是需要另外提供單獨的輔助電源供給放大器。而輔助電源如果處理不當，可能會引進寄生的幹擾。
調製型自給電源的變壓器隔離驅動器
采用自給電源技術，隻用一個變壓器，既省卻了輔助電源，又能得到較快的速度，當然是不錯的方法。目前自給電源的產生有調製和從分時兩種方法。
調製技術是比較經典的方法，即對PWM驅動信號進行高頻(幾個MHZ以上)調製，並將調製信號加在隔離脈衝變壓器初級，在次級通過直接整流得到自給電源，而原PWM調製信號則需經過解調取得，顯然，這種方法並不簡單。調製式的另一缺點是PWM的解調要增加信號的延時，調製方式適於傳遞較低頻率的PWM信號。
分時型自給電源的變壓器隔離驅動器
分時技術是一種較新的技術，其原理是，將信號和能量的傳送采取分別進行的方法，即在變壓器輸入PWM信號的上升和下降沿傳遞信息，在輸入信號的平頂階段傳遞驅動所需要的能量。由於在PWM信號的上升和下降沿隻傳遞信號，基本沒有能量傳輸，因而輸出的PWM脈衝的延時和畸變都很小，能獲得陡峭的驅動輸出脈衝。分時型自給電源驅動器的不足是用於低頻時變壓器的體積較大，此外由於自給能量的限製，驅動超過300A/1200V的IGBT比較困難。
可以看到以上這幾種不同的MOS器件的隔離驅動在IGBT應用中都有著不俗的表現，並且每種驅動方式都能為設計者帶來不同的功能支持。當然，本文中的內容並不是全部，而隻是對這些驅動的初步介紹，為了讓大家對這些專業知識有初步的了解。
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