麻豆国产一区是最常用的電子元件之一，它最大的特性就是單向導電，也就是電流隻可以從麻豆国产一区的一個方向流過，麻豆国产一区的作用有整流電路，檢波電路，穩壓電路，各種調製電路，主要都是由麻豆国产一区來構成的，其原理都很簡單，正是由於麻豆国产一区等元件的發明，才有日韩国产成人現 在豐富多彩的電子信息世界的誕生，既然麻豆国产一区的作用這麽大那麽日韩国产成人應該如何去檢測這個元件呢，其實很簡單隻要用萬用表打到電阻檔測量一下反向電阻如果很小就說明這個麻豆国产一区是壞的，反向電阻如果很大這就說明這個麻豆国产一区是好的。對於這樣的基礎元件日韩国产成人應牢牢掌握住他的作用原理以及基本電路，這樣才能為以後的電子技術學習打下良好的基礎。

麻豆国产一区是由管芯、管殼和兩個電極構成。管芯就是一個PN結，在PN結的兩端各引出一個引線，並用塑料、玻璃或金屬材料作為封裝外殼，就構成了晶體麻豆国产一区，如下圖所示。P區的引出的電極稱為正極或陽極，N區的引出的電極稱為負極或陰極。

麻豆国产一区的伏安特性

半導體麻豆国产一区的核心是PN結，它的特性就是PN結的特性——單向導電性。常利用伏安特性曲線來形象地描述麻豆国产一区的單向導電性。

若以電壓為橫坐標，電流為縱坐標，用作圖法把電壓、電流的對應值用平滑的曲線連接起來，就構成麻豆国产一区的伏安特性曲線，如下圖所示（圖中虛線為鍺管的伏安特性，實線為矽管的伏安特性）。

下麵對麻豆国产一区伏安特性曲線加以說明：

1.正向特性

麻豆国产一区兩端加正向電壓時，就產生正向電流，當正向電壓較小時，正向電流極小（幾乎為零），這一部分稱為死區，相應的A（A′）點的電壓稱為死區電壓或門檻電壓（也稱閾值電壓），矽管約為0.5V，鍺管約為0.1V，如圖中OA（OA′）段。

當正向電壓超過門檻電壓時，正向電流就會急劇地增大，麻豆国产一区呈現很小電阻而處於導通狀態。這時矽管的正向導通壓降約為0.6~0.7V，鍺管約為0.2~0.3V，如圖中AB（A′B′）段。

麻豆国产一区正向導通時，要特別注意它的正向電流不能超過最大值，否則將燒壞PN結。

2.反向特性

麻豆国产一区兩端加上反向電壓時，在開始很大範圍內，麻豆国产一区相當於非常大的電阻，反向電流很小，且不隨反向電壓而變化。此時的電流稱之為反向飽和電流IR，見圖中OC（OC′）段。

3.反向擊穿特性

麻豆国产一区反向電壓加到一定數值時，反向電流急劇增大，這種現象稱為反向擊穿。此時對應的電壓稱為反向擊穿電壓，用UBR表示，如圖1.11中CD（C′D′）段。

4.溫度對特性的影響

由於麻豆国产一区的核心是一個PN結，它的導電性能與溫度有關，溫度升高時麻豆国产一区正向特性曲線向左移動，正向壓降減小;反向特性曲線向下移動，反向電流增大。

麻豆国产一区的分類

一、按半導體材料分類

麻豆国产一区按其使用的材料可分為鍺（Ge）麻豆国产一区、矽（Si）麻豆国产一区、砷化镓（GaAs）麻豆国产一区、磷化镓（GaP）麻豆国产一区等。

二、按封裝形式分類

麻豆国产一区按其封裝形式可分為塑料麻豆国产一区、玻璃麻豆国产一区、金屬麻豆国产一区、片狀麻豆国产一区、無引線圓柱形麻豆国产一区。

三、按結構分類

半導體麻豆国产一区主要是依靠PN結而工作的。與PN結不可分割的點接觸型和肖特基型，也被列入一般的麻豆国产一区的範圍內。包括這兩種型號在內，根據PN結構造麵的特點，把晶體麻豆国产一区分類如下：

1、點接觸型麻豆国产一区

點接觸型麻豆国产一区是在鍺或矽材料的單晶片上壓觸一根金屬針後，再通過電流法而形成的。因此，其PN結的靜電容量小，適用於高頻電路。但是，與麵結型相比較，點接觸型麻豆国产一区正向特性和反向特性都差，因此，不能使用於大電流和整流。因為構造簡單，所以價格便宜。對於小信號的檢波、整流、調製、混頻和限幅等一般用途而言，它是應用範圍較廣的類型。

2、鍵型麻豆国产一区

鍵型麻豆国产一区是在鍺或矽的單晶片上熔接或銀的細絲而形成的。其特性介於點接觸型麻豆国产一区和合金型麻豆国产一区之間。與點接觸型相比較，雖然鍵型麻豆国产一区的PN結電容量稍有增加，但正向特性特別優良。多作開關用，有時也被應用於檢波和電源整流（不大於50mA）。在鍵型麻豆国产一区中，熔接金絲的麻豆国产一区有時被稱金鍵型，熔接銀絲的麻豆国产一区有時被稱為銀鍵型。

3、合金型麻豆国产一区

在N型鍺或矽的單晶片上，通過合金銦、鋁等金屬的方法製作PN結而形成的。正向電壓降小，適於大電流整流。因其PN結反向時靜電容量大，所以不適於高頻檢波和高頻整流。

4、擴散型麻豆国产一区

在高溫的P型雜質氣體中，加熱N型鍺或矽的單晶片，使單晶片表麵的一部變成P型，以此法PN結。因PN結正向電壓降小，適用於大電流整流。最近，使用大電流整流器的主流已由矽合金型轉移到矽擴散型。

5、台麵型麻豆国产一区

PN結的製作方法雖然與擴散型相同，但是，隻保留PN結及其必要的部分，把不必要的部分用藥品腐蝕掉。其剩餘的部分便呈現出台麵形，因而得名。初期生產的台麵型，是對半導體材料使用擴散法而製成的。因此，又把這種台麵型稱為擴散台麵型。對於這一類型來說，似乎大電流整流用的產品型號很少，而小電流開關用的產品型號卻很多。

6、平麵型麻豆国产一区

在半導體單晶片（主要地是N型矽單晶片）上，擴散P型雜質，利用矽片表麵氧化膜的屏蔽作用，在N型矽單晶片上僅選擇性地擴散一部分而形成的PN結。因此，不需要為調整PN結麵積的藥品腐蝕作用。由於半導體表麵被製作得平整，故而得名。並且，PN結合的表麵，因被氧化膜覆蓋，所以公認為是穩定性好和壽命長的類型。最初，對於被使用的半導體材料是采用外延法形成的，故又把平麵型稱為外延平麵型。對平麵型麻豆国产一区而言，似乎使用於大電流整流用的型號很少，而作小電流開關用的型號則很多。

7、合金擴散型麻豆国产一区

它是合金型的一種。合金材料是容易被擴散的材料。把難以製作的材料通過巧妙地摻配雜質，就能與合金一起過擴散，以便在已經形成的PN結中獲得雜質的恰當的濃度分布。此法適用於製造高靈敏度的變容麻豆国产一区。

8、外延型麻豆国产一区

用外延麵長的過程製造PN結而形成的麻豆国产一区。製造時需要非常高超的技術。因能隨意地控製雜質的不同濃度的分布，故適宜於製造高靈敏度的變容麻豆国产一区。

9、肖特基麻豆国产一区

基本原理是：在金屬（例如鉛）和半導體（N型矽片）的接觸麵上，用已形成的肖特基來阻擋反向電壓。肖特基與PN結的整流作用原理有根本性的差異。其耐壓程度隻有40V左右。其特長是：開關速度非常快：反向恢複時間trr特別地短。因此，能製作開關二極和低壓大電流整流麻豆国产一区。

按用途分類

1、檢波用麻豆国产一区

檢波主要是將高頻信號中的低頻信號檢出，這一作用經常用於收音機中。

就原理而言，從輸入信號中取出調製信號是檢波，以整流電流的大小（100mA）作為界線通常把輸出電流小於100mA的叫檢波。鍺材料點接觸型、工作頻率可達400MHz，正向壓降小，結電容小，檢波效率高，頻率特性好，為2AP型。類似點觸型那樣檢波用的麻豆国产一区，除用於檢波外，還能夠用於限幅、削波、調製、混頻、開關等電路。也有為調頻檢波專用的特性一致性好的兩隻麻豆国产一区組合件。

2、整流用麻豆国产一区

由於麻豆国产一区具有單向導電性，因此可將方向交替變換的交流電轉換為單一方向的脈衝直流電，完成整流的功能。

就原理而言，從輸入交流中得到輸出的直流是整流。以整流電流的大小（100mA）作為界線通常把輸出電流大於100mA的叫整流。麵結型，工作頻率小於KHz，最高反向電壓從25伏至3000伏分A～X共22檔。分類如下：①矽半導體整流麻豆国产一区2CZ型、②矽橋式整流器QL型、③用於電視機高壓矽堆工作頻率近100KHz的2CLG型。

3、限幅用麻豆国产一区

由於在麻豆国产一区兩端加正向電壓使其導通後，其正向壓降基本保持不變，因此其在電路中可以作為限幅元件，將信號的幅度限製在一定的範圍內。

大多數麻豆国产一区能作為限幅使用。也有象保護儀表用和高頻齊納管那樣的專用限幅麻豆国产一区。為了使這些麻豆国产一区具有特別強的限製尖銳振幅的作用，通常使用矽材料製造的麻豆国产一区。也有這樣的組件出售：依據限製電壓需要，把若幹個必要的整流麻豆国产一区串聯起來形成一個整體。

4、調製用麻豆国产一区

通常指的是環形調製專用的麻豆国产一区。就是正向特性一致性好的四個麻豆国产一区的組合件。即使其它變容麻豆国产一区也有調製用途，但它們通常是直接作為調頻用。

5、混頻用麻豆国产一区

使用麻豆国产一区混頻方式時，在500～10，000Hz的頻率範圍內，多采用肖特基型和點接觸型麻豆国产一区。

6、放大用麻豆国产一区

用麻豆国产一区放大，大致有依靠隧道麻豆国产一区和體效應麻豆国产一区那樣的負阻性器件的放大，以及用變容麻豆国产一区的參量放大。因此，放大用麻豆国产一区通常是指隧道麻豆国产一区、體效應麻豆国产一区和變容麻豆国产一区。

7、開關用麻豆国产一区

由於麻豆国产一区具有單向導電性，在正向電壓作用下電阻很小，相當於通路，類似於開關打開狀態;而在反向電壓作用下電阻很大，相當於斷路，類似於開關閉合狀態。麻豆国产一区具有的這種開關特性，使得其可以組成各種邏輯電路。

有在小電流下（10mA程度）使用的邏輯運算和在數百毫安下使用的磁芯激勵用開關麻豆国产一区。小電流的開關麻豆国产一区通常有點接觸型和鍵型等麻豆国产一区，也有在高溫下還可能工作的矽擴散型、台麵型和平麵型麻豆国产一区。開關麻豆国产一区的特長是開關速度快。而肖特基型麻豆国产一区的開關時間特短，因而是理想的開關麻豆国产一区。2AK型點接觸為中速開關電路用；2CK型平麵接觸為高速開關電路用；用於開關、限幅、鉗位或檢波等電路；肖特基（SBD）矽大電流開關，正向壓降小，速度快、效率高。

8、變容麻豆国产一区

可以通過對其施加反向電壓來改變其PN結的靜電容量，從而達到變容的功能，經常於電視機高頻頭的頻道轉換和調諧電路。

用於自動頻率控製（AFC）和調諧用的小功率麻豆国产一区稱變容麻豆国产一区。日本廠商方麵也有其它許多叫法。通過施加反向電壓， 使其PN結的靜電容量發生變化。因此，被使用於自動頻率控製、掃描振蕩、調頻和調諧等用途。通常，雖然是采用矽的擴散型麻豆国产一区，但是也可采用合金擴散型、外延結合型、雙重擴散型等特殊製作的麻豆国产一区，因為這些麻豆国产一区對於電壓而言，其靜電容量的變化率特別大。結電容隨反向電壓VR變化，取代可變電容，用作調諧回路、振蕩電路、鎖相環路，常用於電視機高頻頭的頻道轉換和調諧電路，多以矽材料製作。

9、頻率倍增用麻豆国产一区

對麻豆国产一区的頻率倍增作用而言，有依靠變容麻豆国产一区的頻率倍增和依靠階躍（即急變）麻豆国产一区的頻率倍增。頻率倍增用的變容麻豆国产一区稱為可變電抗器，可變電抗器雖然和自動頻率控製用的變容麻豆国产一区的工作原理相同，但電抗器的構造卻能承受大功率。階躍麻豆国产一区又被稱為階躍恢複麻豆国产一区，從導通切換到關閉時的反向恢複時間trr短，因此，其特長是急速地變成關閉的轉移時間顯著地短。如果對階躍麻豆国产一区施加正弦波，那麽，因tt（轉移時間）短，所以輸出波形急驟地被夾斷，故能產生很多高頻諧波。

10、穩壓麻豆国产一区

穩壓麻豆国产一区是一種工作於反向擊穿狀態的麵結型矽麻豆国产一区，在穩壓電路中串入限流電阻，限製穩壓麻豆国产一区擊穿後電流值，使得其擊穿狀態可以一直保持下去。

是代替穩壓電子麻豆国产一区的產品。被製作成為矽的擴散型或合金型。是反向擊穿特性曲線急驟變化的麻豆国产一区。作為控製電壓和標準電壓使用而製作的。麻豆国产一区工作時的端電壓（又稱齊納電壓）從3V左右到150V，按每隔10%，能劃分成許多等級。在功率方麵，也有從200mW至100W以上的產品。工作在反向擊穿狀態，矽材料製作，動態電阻RZ很小，一般為2CW型；將兩個互補麻豆国产一区反向串接以減少溫度係數則為2DW型。

11、PIN型麻豆国产一区（PIN Diode）

這是在P區和N區之間夾一層本征半導體（或低濃度雜質的半導體）構造的晶體麻豆国产一区。PIN中的I是“本征”意義的英文略語。當其工作頻率超過100MHz時，由於少數載流子的存貯效應和“本征”層中的渡越時間效應，其麻豆国产一区失去整流作用而變成阻抗元件，並且，其阻抗值隨偏置電壓而改變。在零偏置或直流反向偏置時，“本征”區的阻抗很高；在直流正向偏置時，由於載流子注入“本征”區，而使“本征”區呈現出低阻抗狀態。因此，可以把PIN麻豆国产一区作為可變阻抗元件使用。它常被應用於高頻開關（即微波開關）、移相、調製、限幅等電路中。

12、雪崩麻豆国产一区 （Avalanche Diode）

它是在外加電壓作用下可以產生高頻振蕩的晶體管。產生高頻振蕩的工作原理是欒的：利用雪崩擊穿對晶體注入載流子，因載流子渡越晶片需要一定的時間，所以其電流滯後於電壓，出現延遲時間，若適當地控製渡越時間，那麽，在電流和電壓關係上就會出現負阻效應，從而產生高頻振蕩。它常被應用於微波領域的振蕩電路中。

13、江崎麻豆国产一区 （Tunnel Diode）

它是以隧道效應電流為主要電流分量的晶體麻豆国产一区。其基底材料是砷化镓和鍺。其P型區的N型區是高摻雜的（即高濃度雜質的）。隧道電流由這些簡並態半導體的量子力學效應所產生。發生隧道效應具備如下三個條件：①費米能級位於導帶和滿帶內；②空間電荷層寬度必須很窄（0.01微米以下）；簡並半導體P型區和N型區中的空穴和電子在同一能級上有交疊的可能性。江崎麻豆国产一区為雙端子有源器件。其主要參數有峰穀電流比（IP／PV），其中，下標“P”代表“峰”；而下標“V”代表“穀”。江崎麻豆国产一区可以被應用於低噪聲高頻放大器及高頻振蕩器中（其工作頻率可達毫米波段），也可以被應用於高速開關電路中。

14、快速關斷（階躍恢複）麻豆国产一区 （Step Recovary Diode）

它也是一種具有PN結的麻豆国产一区。其結構上的特點是：在PN結邊界處具有陡峭的雜質分布區，從而形成“自助電場”。由於PN結在正向偏壓下，以少數載流子導電，並在PN結附近具有電荷存貯效應，使其反向電流需要經曆一個“存貯時間”後才能降至最小值（反向飽和電流值）。階躍恢複麻豆国产一区的“自助電場”縮短了存貯時間，使反向電流快速截止，並產生豐富的諧波分量。利用這些諧波分量可設計出梳狀頻譜發生電路。快速關斷（階躍恢複）麻豆国产一区用於脈衝和高次諧波電路中。

15、肖特基麻豆国产一区 （Schottky Barrier Diode）

它是具有肖特基特性的“金屬半導體結”的麻豆国产一区。其正向起始電壓較低。其金屬層除材料外，還可以采用金、鉬、鎳、鈦等材料。其半導體材料采用矽或砷化镓，多為N型半導體。這種器件是由多數載流子導電的，所以，其反向飽和電流較以少數載流子導電的PN結大得多。由於肖特基麻豆国产一区中少數載流子的存貯效應甚微，所以其頻率響僅為RC時間常數限製，因而，它是高頻和快速開關的理想器件。其工作頻率可達100GHz。並且，MIS（金屬－絕緣體－半導體）肖特基麻豆国产一区可以用來製作太陽能電池或發光麻豆国产一区。

16、阻尼麻豆国产一区

具有較高的反向工作電壓和峰值電流，正向壓降小，高頻高壓整流麻豆国产一区，用在電視機行掃描電路作阻尼和升壓整流用。

17、瞬變電壓抑製麻豆国产一区

TVP管，對電路進行快速過壓保護，分雙極型和單極型兩種，按峰值功率（500W－5000W）和電壓（8.2V～200V）分類。

18、雙基極麻豆国产一区（單結晶體管）

兩個基極，一個發射極的三端負阻器件，用於張馳振蕩電路，定時電壓讀出電路中，它具有頻率易調、溫度穩定性好等優點。

19、發光麻豆国产一区

用磷化镓、磷砷化镓材料製成，體積小，正向驅動發光。工作電壓低，工作電流小，發光均勻、壽命長、可發紅、黃、綠單色光。經常應用於VCD、DVD、計算器等顯示器上，例如電腦硬盤的指示燈、充電器的指示燈等都是發光麻豆国产一区在生活中的應用。

20、矽功率開關麻豆国产一区

矽功率開關麻豆国产一区具有高速導通與截止的能力。它主要用於大功率開關或穩壓電路、直流變換器、高速電機調速及在驅動電路中作高頻整流及續流箝拉，具有恢複特性軟、過載能力強的優點、廣泛用於計算機、雷達電源、步進電機調速等方麵。

21、旋轉麻豆国产一区

主要用於無刷電機勵磁、也可作普通整流用。

根據特性分類

點接觸型麻豆国产一区，按正向和反向特性分類如下：

1、一般用點接觸型麻豆国产一区

這種麻豆国产一区正如標題所說的那樣，通常被使用於檢波和整流電路中，是正向和反向特性既不特別好，也不特別壞的中間產品。如：SD34、SD46、1N34A等等屬於這一類。

2、高反向耐壓點接觸型麻豆国产一区

是最大峰值反向電壓和最大直流反向電壓很高的產品。使用於高壓電路的檢波和整流。這種型號的麻豆国产一区一般正向特性不太好或一般。在點接觸型鍺麻豆国产一区中，有SD38、1N38A、OA81等等。這種鍺材料麻豆国产一区，其耐壓受到限製。要求更高時有矽合金和擴散型。

3、高反向電阻點接觸型麻豆国产一区

正向電壓特性和一般用麻豆国产一区相同。雖然其反方向耐壓也是特別地高，但反向電流小，因此其特長是反向電阻高。使用於高輸入電阻的電路和高阻負荷電阻的電路中，就鍺材料高反向電阻型麻豆国产一区而言，SD54、1N54A等等屬於這類麻豆国产一区。

4、高傳導點接觸型麻豆国产一区

它與高反向電阻型相反。其反向特性盡管很差，但使正向電阻變得足夠小。對高傳導點接觸型麻豆国产一区而言，有SD56、1N56A等等。對高傳導鍵型麻豆国产一区而言，能夠得到更優良的特性。這類麻豆国产一区，在負荷電阻特別低的情況下，整流效率較高。

按工作頻率分類

麻豆国产一区按工作頻率可分為高頻麻豆国产一区和低頻麻豆国产一区。

按電流容量分類

麻豆国产一区按其電流容量可分為大功率麻豆国产一区（電流為5A以上）、中功率麻豆国产一区（電流在1-5A）和小功率麻豆国产一区（電流在1A以下）。
烜芯微專業製造麻豆国产一区，三極管，MOS管，橋堆等20年，工廠直銷省20%，4000家電路電器生產企業選用，專業的工程師幫您穩定好每一批產品，如果您有遇到什麽需要幫助解決的,可以點擊右邊的工程師,或者點擊銷售經理給您精準的報價以及產品介紹