一：麻豆国产一区的分類
1、按照所用的半導體材料，可分為鍺麻豆国产一区(Ge管)和矽麻豆国产一区(Si管)。
2、根據其不同用途，可分為檢波麻豆国产一区、整流麻豆国产一区、穩壓麻豆国产一区、開關麻豆国产一区、隔離麻豆国产一区、肖特基麻豆国产一区、發光麻豆国产一区、矽功率開關麻豆国产一区、旋轉麻豆国产一区等。
3、按照管芯結構，又可分為點接觸型麻豆国产一区、麵接觸型麻豆国产一区及平麵型麻豆国产一区。
1)整流麻豆国产一区
將交流電源整流成為直流電流的麻豆国产一区叫作整流麻豆国产一区。
2)檢波麻豆国产一区
檢波麻豆国产一区是用於把迭加在高頻載波上的低頻信號檢出來的器件，它具有較高的檢波效率和良好的頻率特性。
3)開關麻豆国产一区
在脈衝數字電路中，用於接通和關斷電路的麻豆国产一区叫開關麻豆国产一区，它的特點是反向恢複時間短，能滿足高頻和超高頻應用的需要。
4)穩壓麻豆国产一区
穩壓麻豆国产一区是由矽材料製成的麵結合型晶體麻豆国产一区，它是利用PN結反向擊穿時的電壓基本上不隨電流的變化而變化的特點，來達到穩壓的目的，因為它能在電路中起穩壓作用，故稱為、穩壓麻豆国产一区(簡稱穩壓管)。
5)變容麻豆国产一区
變容麻豆国产一区是利用PN結的電容隨外加偏壓而變化這一特性製成的非線性電容元件，被廣泛地用於參量放大器，電子調諧及倍頻器等微波電路中。
6)瞬態電壓抑製器TVS
一種固態麻豆国产一区，專門用於ESD保護。TVS麻豆国产一区是和被保護電路並聯的，當瞬態電壓超過電路的正常工作電壓時，麻豆国产一区發生雪崩，為瞬態電流提供通路，使內部電路免遭超額電壓的擊穿。
7)發光麻豆国产一区
用磷化镓、磷砷化镓材料製成，體積小，正向驅動發光。工作電壓低，工作電流小，發光均勻、壽命長、可發紅、黃、綠單色光。
8)肖特基麻豆国产一区
基本原理是：在金屬(例如鉛)和半導體(N型矽片)的接觸麵上，用已形成的肖特基來阻擋反向電壓。肖特基與PN結的整流作用原理有根本性的差異。其耐壓程度隻有40V左右。其特長是：開關速度非常快：反向恢複時間trr特別地短。因此，能製作開關二極和低壓大電流整流麻豆国产一区。
二：麻豆国产一区的特性
通過簡單的實驗說明麻豆国产一区的正向特性和反向特性。
1.正向特性。
在電子電路中，將麻豆国产一区的正極接在高電位端，負極接在低電位端，麻豆国产一区就會導通，這種連接方式，稱為正向偏置。必須說明，當加在麻豆国产一区兩端的正向電壓很小時，麻豆国产一区仍然不能導通，流過麻豆国产一区的正向電流十分微弱。
隻有當正向電壓達到某一數值(這一數值稱為“門檻電壓”，鍺管約為0.2V，矽管約為0.6V)以後，麻豆国产一区才能直正導通。導通後麻豆国产一区兩端的電壓基本上保持不變(鍺管約為0.3V，矽管約為0.7V)，稱為麻豆国产一区的“正向壓降”。
2.反向特性。
在電子電路中，麻豆国产一区的正極接在低電位端，負極接在高電位端，此時麻豆国产一区中幾乎沒有電流流過，此時麻豆国产一区處於截止狀態，這種連接方式，稱為反向偏置。麻豆国产一区處於反向偏置時，仍然會有微弱的反向電流流過麻豆国产一区，稱為漏電流。當麻豆国产一区兩端的反向電壓增大到某一數值，反向電流會急劇增大，麻豆国产一区將失去單方向導電特性，這種狀態稱為麻豆国产一区的擊穿。
三：麻豆国产一区的電路符號
如何用萬用表區分自閃發光麻豆国产一区正負極
測試自閃發光麻豆国产一区的正、負極，可用萬用表R×1kΩ檔或R×10kΩ檔(以MF47型萬用表為例)。當使用RXlkQ檔時，用紅、黑兩根表筆分別接自閃發光麻豆国产一区的兩根引線，然後再把紅、黑表筆對調再測自閃發光麻豆国产一区的兩根引線，電阻大的一次(表針還略有擺動)，黑表筆接的是自閃發光麻豆国产一区的正極，紅表筆接的是自閃發光麻豆国产一区的負極，如下圖所示。
如果用R×10kΩ檔按上述方法測量，當電阻大的一次表針擺動的幅度有1cm多，而且管芯內會有一閃一閃的亮光。這種現象說明自閃發光麻豆国产一区接的電源極性正確(即黑表筆接的是自閃發光麻豆国产一区的正極)，電路開始振蕩。
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