一、快恢複麻豆国产一区和肖特基麻豆国产一区定義
快恢複麻豆国产一区是指反向恢複時間很短的麻豆国产一区(5us以下)，工藝上多采用摻金措施，結構上有采用PN結型結構，有的采用改進的PIN結構。其正向壓降高於普通麻豆国产一区(1-2V)，反向耐壓多在1200V以下。從性能上可分為快恢複和超快恢複兩個等級。前者反向恢複時間為數百納秒或更長，後者則在100納秒以下。
肖特基麻豆国产一区是以金屬和半導體接觸形成的勢壘為基礎的麻豆国产一区，簡稱肖特基麻豆国产一区(Schottky Barrier Diode)，具有正向壓降低(0.4--0.5V)、反向恢複時間很短(10-40納秒)，而且反向漏電流較大，耐壓低，一般低於150V，多用於低電壓場合。
二、肖特基麻豆国产一区與快恢複麻豆国产一区結構特點
肖特基麻豆国产一区：肖特基整流管的結構原理與PN結整流管有很大的區別，通常將PN結整流管稱作結整流管，而把金屬-半導管整流管叫作肖特基整流管，近年來，采用矽平麵工藝製造的鋁矽肖特基麻豆国产一区也已問世，這不僅可節省貴金屬，大幅度降低成本，還改善了參數的一致性。
肖特基麻豆国产一区僅用一種載流子(電子)輸送電荷，在勢壘外側無過剩少數載流子的積累，因此，不存在電荷儲存問題(Qrr→0)，使開關特性獲得時顯改善。其反向恢複時間已能縮短到10ns以內。但它的反向耐壓值較低，一般不超過去時100V。因此適宜在低壓、大電流情況下工作。利用其低壓降這特點，能提高低壓、大電流整流(或續流)電路的效率。
三、肖特基麻豆国产一区與快恢複麻豆国产一区性能比較
肖特基麻豆国产一区：反向耐壓值較低40V-50V，通態壓降0.3-0.6V，小於10nS的反向恢複時間。它是具有肖特基特性的“金屬半導體結”的麻豆国产一区。其正向起始電壓較低。其金屬層除材料外，還可以采用金、鉬、鎳、鈦等材料。其半導體材料采用矽或砷化镓，多為N型半導體。這種器件是由多數載流子導電的，所以，其反向飽和電流較以少數載流子導電的PN結大得多。由於肖特基麻豆国产一区中少數載流子的存貯效應甚微，所以其頻率響僅為RC時間常數限製，因而，它是高頻和快速開關的理想器件。其工作頻率可達100GHz。並且，MIS(金屬-絕緣體-半導體)肖特基麻豆国产一区可以用來製作太陽能電池或發光麻豆国产一区。
快恢複麻豆国产一区：有0.8-1.1V的正向導通壓降，35-85nS的反向恢複時間，在導通和截止之間迅速轉換，提高了器件的使用頻率並改善了波形。快恢複麻豆国产一区在製造工藝上采用摻金，單純的擴散等工藝，可獲得較高的開關速度，同時也能得到較高的耐壓.目前快恢複麻豆国产一区主要應用在逆變電源中做整流元件。
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