寄生麻豆国产一区由來
是由生產工藝造成的，大功率MOS管漏極從矽片底部引出，就會有這個寄生麻豆国产一区。小功率MOS管例如集成芯片中的MOS管是平麵結構，漏極引出方向是從矽片的上麵也就是與源極等同一方向，沒有這個麻豆国产一区。模擬電路書裏講得就是小功率MOS管的結構，所以沒有這個麻豆国产一区。但D極和襯底之間都存在寄生麻豆国产一区，如果是單個晶體管，襯底當然接S極，因此自然在DS之間有麻豆国产一区。如果在IC裏麵，N—MOS襯底接最低的電壓，P—MOS襯底接最高電壓，不一定和S極相連，所以DS之間不一定有寄生麻豆国产一区。
寄生麻豆国产一区作用：
當電路中產生很大的瞬間反向電流時，可以通過這個麻豆国产一区導出來，不至於擊穿這個MOS管。(起到保護MOS管的作用)
溝槽Trench型N溝道增強型功率MOSFET的結構如下圖所示，在N-epi外延層上擴散形成P基區，然後通過刻蝕技術形成深度超過P基區的溝槽，在溝槽壁上熱氧化生成柵氧化層，再用多晶矽填充溝槽，利用自對準工藝形成N+源區，背麵的N+substrate為漏區，在柵極加上一定正電壓後，溝槽壁側的P基區反型，形成垂直溝道。
由下圖中的結構可以看到，P基區和N-epi形成了一個PN結，即MOSFET的寄生體麻豆国产一区。
MOSFET剖麵結構
體麻豆国产一区主要參數
麻豆国产一区特性測試電路
麻豆国产一区恢複曲線
MOSFET體麻豆国产一区反向恢複過程波形
MOSFET體麻豆国产一区應用場合
全橋逆變電路
三相橋電路
LLC半橋諧振電路ZVS
移相全橋PSFB ZVS
HID照明(ZVS)
MOSFET體麻豆国产一区應用分析
MOSFET體麻豆国产一区反向恢複
LLC半橋諧振變換器
LLC電壓增益
LLC變換器 ZVS狀態下模態切換
LLC變換器工作波形(ZVS模式)
LLC變換器工作波形(ZVS模式，輕載)
LLC變換器 ZCS狀態下模態切換
LLC變換器工作波形
LLC變換器輸出短路狀態1波形
LLC變換器輸出短路狀態2波形
LLC啟動過程 - 麻豆国产一区反向恢複
LLC啟動過程 - 麻豆国产一区反向恢複
HID照明電源(帶載切換成開路)
HID照明電源啟動過程
HID照明電源(低於諧振頻率工作波形)
HID照明電源實測波形
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