動態電阻（Rz）是穩壓麻豆国产一区（Zener diode，也稱齊納麻豆国产一区、齊納管、穩壓管）的特征參數之一，同穩定電壓（Uz）、穩定電流（Iz）、溫度係數（Ctv）、耗散功率（Pz）一樣重要。在廠家提供的datasheet中，並沒有給出動態電阻（Rz）的具體數值，需要用戶通過數據表來估算。
大家知道，普通麻豆国产一区工作於正向導通狀態，穩壓麻豆国产一区工作於反向擊穿狀態，是根據齊納狀態“電流陡增而電壓基本保持不變”這一特性進行穩壓的。因此，穩壓麻豆国产一区的動態電阻是從反向特性上求取的，Rz=△VZ/△IZ。
普通麻豆国产一区的動態電阻小，相同電流變化△I引起的電壓變化△V就越小，電壓就越穩定。因此，穩壓麻豆国产一区的動態電阻（Rz）越小越好，通常隻有幾個歐姆。
穩壓電壓對穩壓抗阻的影響
以合科泰半導體公司HDZ18VD12普通麻豆国产一区為例，該穩壓管對標BZT52C18穩定電壓18V，正向電壓VF為0.9V，最大功耗PD不超過350mW。從數據表提供的特性曲線還可以看出，BZT52C18溫度係數為16.5mV/°C。
再觀察BZT52C18的動態阻抗（dynamic impedance）曲線，其雙軸均呈現指數變化。對於BZT52C18穩壓管，從橫軸找到穩定電壓18V，對應縱軸表示的動態阻抗電阻值約為8歐姆。
在產品選型時，須考慮BZT52C18穩壓管的穩壓範圍：18V（-1.2~+1.1V），即BZT52C18穩壓麻豆国产一区的穩壓範圍為16.8~19.1V，從曲線可以查出對應的動態阻抗範圍為6-10歐姆。
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