麻豆国产一区是最簡單的半導體器件，也是大多數電子產品BOM清單中的基礎元器件之一。雖然購買麻豆国产一区之前，用戶已經知道這些麻豆国产一区的具體用法，閱讀廠商提供的麻豆国产一区數據表，可以了解更多的麻豆国产一区參數和應用信息，讓自己的設計方案更完美。
但是，目前市場上的半導體器件，無論是集成電路芯片，還是麻豆国产一区、三極管、MOS管，廠家所提供的數據表（datasheet）全部是英文。以下列出了一些常見的麻豆国产一区參數，依次為參數、英文說明、中文說明：
αVF：Temperature coefficient of forward voltage，正向壓降的溫度係數
Cj：Junction Capacitance，結電容
ηV：Rectification Efficiency，整流效率
dv/dt：critical rate of rise of off-state voltage，斷態電壓臨界上升率
di/dt：critical rate of rise of on-state current，通態電流臨界上升率
I(AV)：Average Forward Rectified Current，正向平均整流電流
ID：Stand-off Reverse Leakage Current，關態反向漏電流
IFSM：Peak Forward Surge Current，正向浪湧峰值電流
IF(AV)：foreard current，正向平均電流(整流管)
If：DC Forward Current，正向直流電流
IGT：gate trigger current，門極觸發電流
ITSM：Non Repetitive Surge Peak on-state Current，不重複浪湧峰值開態電流
IDM：Maximum Reverse Leakage，最大反向漏電流
IDRM：repetitive peak of-state current，斷態重複峰值電流
IFM：peak forward current (of diode)，正向峰值電流(整流管)
IFRM：Repetitive Peak Forward Current，正向重複峰值電流
IH：Holding Current，維持電流
IO：Mean Forward Current，正向平均電流
IR：Reverse Leakage Current，反向漏電流
Irr：Reverse Recovery Current，反向恢複電流
IPPM：Maximum peak lmpulse Current，最大脈衝峰值電流
IRM：Maximum peak Reverse Current，最大峰值反向電流
IRM(REC)：Maximum peak Reverse recovery Current，最大峰值反向恢複電流
IRMS：R.M.S. on-state current，通態方均根電流
IRRM：repetitive peak reverse current，反向重複峰值電流
IRSM：Maximum Non-repetitive recovery Peak Current，最大峰值反向恢複電流
IT：On-state Test Current，導通測試電流
IT(AV)：on-state current，通態平均電流
ITM：peak on-state current，通態峰值電流
ITSM：surge on-state current，通態浪湧電流
PD：Power Dissipation，功功率損耗
PM(AV)：Maximum Steady State Power Dissipation，最大穩態功耗
PPM：Peak Pulse Power Dissipation，峰值脈衝功耗
Ptot：Total Power Dissipation，總功耗
Qrr：reverse recovery charge，反向恢複電荷
Rjc：junction-case thermal resistance，結殼熱阻
ROJA：Thermal Resistance (Junction to Ambient)，熱阻（結到環境）
ROJC：Thermal Resistance（Junction to Case ），熱阻（結到管殼）
ROJL：Thermal Resistance（Junction to Lead ），熱阻（結到引線）
TA：Ambient Temperature，環境溫度
TC：Case Temperature，管殼溫度
td：Time Duration，持續時間
tf：Fall Time，下降時間
tfr：Forward Recovery Time，正向恢複時間
tgt：gate controlled turn-on time，門極控製開通時間
Tj：Junction Temperature，結溫
Tjm：maximum virtual junction temperature，最高等效結溫
TL：Lead Temperature，引線溫度
ton：turn on time，開通時間
tq：cricuit commutated turn-off time，電路換向關斷時間
tr：Rise Time，上升時間
trr：reverse recovery time (of diode) ，(麻豆国产一区的)反向恢複時間
ts：storage time，存儲時間
TSTG： Storage Temperature，存儲溫度
VBO：Breakover Voltage，轉折電壓
V（BR）：Reverse Breakdown Voltage，反向擊穿電壓
VDC,VR DC Reverse Voltage，反向直流電流
VDSM：non-repetitive peak off-state voltage，斷態不重複峰值電壓
VDRM：repetitive peak off-state voltage，斷態重複峰值電壓
VF：Instantaneous Forward Voltage，正向瞬態電壓
VFM：peak forward voltage (of diode)，正向峰值電壓(整流管)
VFR：Forward Recovery Voltage，正向恢複電壓
VGT：gate trigger voltage，門極觸發電壓
VRM：Maximum Reverse Paek Reverse Voltage，最大重複峰值反向電壓
VRMS：RMS Input Voltage，均方根輸入電壓
VRRM：Peak Repetitive Reverse Voltage，反向重複峰值電壓
VRSM：non-repetitive peak reverse voltage，反向不重複峰值電壓
VTM：peak on-state voltage，通態峰值電壓
VWM：Working Peak Reverse Voltage，反向工作峰值電壓
VC：Clamping Voltage，箝位電壓
VWM：Working Stand-off Voltage，關態工作電壓
VZ：Zener Voltage，齊納電壓
ZZ：Dynamia Zener Impedance，動態齊納阻抗
以烜芯微科技生產的BZT52C18穩壓麻豆国产一区為例，該通用的中等電流貼片麻豆国产一区采用SOD-123封裝，最大功耗（PD）為350mW，導通電壓（VF@IF=10mA）為0.9V，熱阻（ROJA）為357°C/W，結溫（TJ）為150°C，存儲溫度（TSTG）為-55~+150°C，其他參數用戶可以從數據表中的圖表及特性曲線查找。
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