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肖特基（Schottky）麻豆国产一区(也稱為肖特基勢壘麻豆国产一区)是基於由金屬和半導體接觸形成的勢壘的麻豆国产一区,被稱為肖特基麻豆国产一区。與通常的麻豆国产一区(用多指用PN結形成的矽麻豆国产一区)相比，最顯著的特征是反恢複時間極短(幾納秒左右)，正的導通壓下降低，隻有0.4V左右。也有幾個缺點:耐壓比較低,漏電流大。其被廣泛用作高頻、低壓、大電流整流麻豆国产一区(例如開關電源二極整流麻豆国产一区)、回流麻豆国产一区、保護麻豆国产一区。在微波通信等的電路中，整流麻豆国产一区、小信號檢波麻豆国产一区也是有用的。常見的是通信電源、變頻器等。一般的麻豆国产一区隻能在低頻整流的情況下使用，可以進一步提高耐壓。
肖特基麻豆国产一区的作用：
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2、肖特基麻豆国产一区也稱為肖特基勢壘麻豆国产一区(SBD),是低功耗、超高速半導體器件。肖特基麻豆国产一区的最顯著特征在於，反向恢複時間極短，正向導通壓降僅為0.4V左右。肖特基麻豆国产一区多用作高頻、大電流整流麻豆国产一区、低壓、續流麻豆国产一区、保護麻豆国产一区、小信號檢波麻豆国产一区、微波通信等電路中作整流麻豆国产一区等處使用。肖特基麻豆国产一区經常見於通信電源、頻率變換器等。肖特基麻豆国产一区在雙極晶體管的開關電路中通過連接麻豆国产一区來箝位。
肖特基麻豆国产一区的原理：
肖特基麻豆国产一区是將貴金屬金、鋁、銀、鉑等A作為正極，將N型半導體B作為負極，利用在兩者的接觸麵間形成的阻擋層具有整流特性的金屬半導體裝置。肖特基麻豆国产一区在N型半導體中存在大量的電子，但在貴金屬中僅存在少量的自由電子，肖特基麻豆国产一区中的電子從濃度高的B向濃度A擴散。肖特基麻豆国产一区金屬A沒有空穴，不存在從空穴自A向B擴散的運動。在肖特基麻豆国产一区中，隨著電子繼續從B擴散到A、B表麵電子濃度逐漸降低，表麵被電中性破壞，形成勢壘。
肖特基麻豆国产一区的優勢：
肖特基麻豆国产一区具有開關頻率高、順壓降低等優點，但肖特基麻豆国产一区的反向擊穿電壓比較低，一般不會高於60V，最高僅約為100V，以致於限製了肖特基麻豆国产一区的應用範圍。在變壓器次級用100V以上的高頻整流麻豆国产一区、開關電源和功率因數校正電路中的功率開關器件續流麻豆国产一区、RCD緩衝器電路中用600V～1.2kV之間的高速麻豆国产一区、PFC升壓用600V麻豆国产一区等情況下時，隻有使用快速恢複外延麻豆国产一区和超快速恢複麻豆国产一区。現在的肖特基麻豆国产一区已取得了突破性的進展，150V和200V高壓已經上市，使用新型材料製作的超過1kV的肖特基麻豆国产一区也研製成功。
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