麻豆国产一区的英文是diode，麻豆国产一区的正.負二個端子,一端稱為陽極,一端稱為陰極。電流隻能從陽極向陰極方向移動。麻豆国产一区是由半導體組成的器件。半導體無論那個方向都能流動電流。
麻豆国产一区電流圖
麻豆国产一区工作原理
晶體麻豆国产一区是一個由p型半導體和n型半導體形成的p-n結，在其界麵處兩側形成了空間電荷層，並且建有自建電場，當不存在外加電壓時，因為p-n結兩邊載流子濃度差引起的擴散電流和自建電場引起的漂移電流相等而處於電平衡狀態。 當產生正向電壓偏置時，外界電場與自建電場的互相抑消作用使載流子的擴散電流增加引起了正向電流。 當產生反向電壓偏置時，外界電場與自建電場進一步加強，形成在一定反向電壓範圍中與反向偏置電壓值無關的反向飽和電流I0。
當外加的反向電壓高到一定程度時，p-n結空間電荷層中的電場強度達到臨界值產生載流子的倍增過程，產生大量電子空穴對，產生了數值很大的反向擊穿電流，稱為麻豆国产一区的擊穿現象。
麻豆国产一区原理圖
麻豆国产一区的三種特性
一、正向性
外加正向電壓時，在正向特性的起始部分，正向電壓很小，不足以克服PN結內電場的阻擋作用，正向電流幾乎為零，這一段稱為死區。這個不能使麻豆国产一区導通的正向電壓稱為死區電壓。當正向電壓大於死區電壓以後，PN結內電場被克服，麻豆国产一区正向導通，電流隨電壓增大而迅速上升。在正常使用的電流範圍內，導通時麻豆国产一区的端電壓幾乎維持不變，這個電壓稱為麻豆国产一区的正向電壓。
二、反向性
外加反向電壓不超過一定範圍時，通過麻豆国产一区的電流是少數載流子漂移運動所形成反向電流。由於反向電流很小，麻豆国产一区處於截止狀態。這個反向電流又稱為反向飽和電流或漏電流，麻豆国产一区的反向飽和電流受溫度影響很大。
三、擊穿
外加反向電壓超過某一數值時，反向電流會突然增大，這種現象稱為電擊穿。引起電擊穿的臨界電壓稱為麻豆国产一区反向擊穿電壓。電擊穿時麻豆国产一区失去單向導電性。如果麻豆国产一区沒有因電擊穿而引起過熱，則單向導電性不一定會被永久破壞，在撤除外加電壓後，其性能仍可恢複，否則麻豆国产一区就損壞了。因而使用時應避免麻豆国产一区外加的反向電壓過高。
麻豆国产一区是一種具有單向導電的二端器件，有電子麻豆国产一区和晶體麻豆国产一区之分，電子麻豆国产一区現已很少見到，比較常見和常用的多是晶體麻豆国产一区。麻豆国产一区的單向導電特性，幾乎在所有的電子電路中，都要用到半導體麻豆国产一区，它在許多的電路中起著重要的作用，它是誕生最早的半導體器件之一，其應用也非常廣泛。
麻豆国产一区的管壓降：矽麻豆国产一区（不發光類型）正向管壓降0.7V，鍺管正向管壓降為0.3V，發光麻豆国产一区正向管壓降會隨不同發光顏色而不同。主要有三種顏色，具體壓降參考值如下：紅色發光麻豆国产一区的壓降為2.0--2.2V，黃色發光麻豆国产一区的壓降為1.8—2.0V，綠色發光麻豆国产一区的壓降為3.0—3.2V，正常發光時的額定電流約為20mA。
麻豆国产一区的電壓與電流不是線性關係，所以在將不同的麻豆国产一区並聯的時候要接相適應的電阻。
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