1.麻豆国产一区的定義
麻豆国产一区由管芯，封裝和兩個電極組成。芯片是PN結。在PN結的兩端繪製引線，並使用塑料麻豆国产一区，玻璃或金屬材料作為封裝，形成晶體麻豆国产一区，如下圖所示。在P區域中繪製的電極被稱為正電極或陽極，在N區域中提取的電極被稱為負電極或陰極。
麻豆国产一区的定義圖
2.麻豆国产一区的伏安特性
麻豆国产一区的伏安特性是施加在麻豆国产一区兩端的電壓和流過麻豆国产一区的電流之間的關係。用於定性描述兩者之間關係的曲線稱為伏安特性曲線。晶體管繪圖儀觀察到的矽麻豆国产一区的伏安特性如下圖所示。
麻豆国产一区的伏安特性圖
3.麻豆国产一区的正向特性
1）當施加的正向電壓小時，麻豆国产一区呈現大電阻，正向電流幾乎為零，並且曲線OA段被稱為非導電區域或死區。通常，矽管的死區電壓約為0.5伏，鍺的死區電壓約為0.2伏。該電壓值也稱為閾值電壓或閾值電壓。
2）當施加的正向電壓超過死區電壓時，PN結中的電場幾乎被消除，麻豆国产一区的電阻很小，正向電流開始增加，並進入正向導通區，但電壓不是與電流成比例，例如AB。分割。隨著施加電壓的增加，正向電流迅速增加。例如，BC部分的特性曲線是陡峭的，並且伏安關係近似是線性的，並且處於完全導通狀態。
3）麻豆国产一区導通後兩端的正向電壓稱為正向壓降（或管壓降），幾乎是恒定的。矽管的管壓降約為0.7V，鍺管的管壓降約為0.3V。
4.麻豆国产一区的反向特性
1）當麻豆国产一区經受反向電壓時，PN結的內部電場增強，並且麻豆国产一区呈現大電阻，並且僅有小的反向電流。在實際應用中，反向電流越小，麻豆国产一区的反向電阻越大，反向截止性能越好。通常，矽麻豆国产一区的反向飽和電流低於幾十微安，鍺麻豆国产一区為幾百微安，高功率麻豆国产一区略大。
2）當反向電壓增加到一定值時，反向電流急劇增加並進入反向擊穿區域，其相應的電壓稱為反向擊穿電壓。如果麻豆国产一区損壞後電流過大，則管子會損壞。因此，除齊納麻豆国产一区外，麻豆国产一区的反向電壓不得超過擊穿電壓。
5.整流電路
5.1 單向半波整流電路
麻豆国产一区就像一個自動開關。當u2為正半周期時，電源自動連接到負載。當u2為負半周期時，電源和負載會自動切斷。因此，如下圖所示，負載方向和尺寸變化相同的脈動直流電壓uo如下圖所示。由於該電路僅在u2的正半周期內具有輸出，因此稱為半波整流電路。如果整流麻豆国产一区的極性反轉，則可以獲得負DC紋波電壓。
單向半波整流電路圖
5.2全波整流電路
全波整流電路圖
整改原則：
將變壓器次級側的電壓設置為：
1）當u2為正半周期時，A點的電位最高，V點的電位最低，麻豆国产一区V1和V3導通，V2和V4截止，電流路徑為A→V1 →RL→V3→B中。
2）當u2為負半周期時，B點的電位最高，A點的電位最低，麻豆国产一区V2和V4導通，V1和V3截止，電流路徑為B→V2→RL →V4→A。
可以看出，在u2的變化周期中，從上到下的電流總是流過負載RL，電壓和電流的波形是全波脈動直流電壓和電流，如下所示數字。
整改原則圖
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