引線連接到PN結的P和N區域中的每一個，然後封裝以形成半導體麻豆国产一区。連接到P區域的引線是正電極，連接到N區域的引線是負電極。
檢波麻豆国产一区由有缺陷的半導體材料製成，並采用點接觸麻豆国产一区結構，如圖14-4所示。由於采用點接觸結構，其接觸麵積小，不能通過大電流，但其結電容也小，頻率特性好，適用於高頻信號的檢測。
檢波麻豆国产一区廣泛用於無線電，電視，無線電和通信設備。檢測麻豆国产一区的檢測通常適用於高頻小信號，因此通過麻豆国产一区的單向導通特性來執行。
圖14-5顯示了檢波麻豆国产一区（錯誤麻豆国产一区）的電壓 - 電流曲線，也稱為伏安特性曲線。當在麻豆国产一区上施加正電壓時，產生正向電流。當正向電壓相對較小時，麻豆国产一区表現出大的電阻。當正向電壓超過某個值時，麻豆国产一区的電阻變小，電流急劇上升。錨定麻豆国产一区的初始導通電壓很小，約為0.2V。當反向電壓施加到麻豆国产一区時，隻有很小的反向電流，並且電流不會隨著反向電壓的增加而改變。在這種情況下的電流稱為反向飽和電流。當反向電壓施加到某個值時，反向電流突然增加並發生擊穿。
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