SiOz-SiMoS麻豆国产一区
對所有的MOS麻豆国产一区而言，金屬—Si02 -Si為最受廣泛研究．Si0—Si係統的電特性近似於理想的MOS麻豆国产一区，然而，對於廣泛使用的金屬電極而言，其功函數差qm。一般不為零，而且在氧化層內部或SQ-Si界麵處存在的不同電荷，將以各種方式影響理想MOS的特性。
一、功函數差
半導體的功函數坤；為費米能級至真空之間的能量差（圖6，2），隨摻雜濃度而有所變化，對於一有固定功函數qm的特定金屬而言，日韩国产成人預期其功函數差為qms-q（m一s），因此將會隨著半導體的摻雜濃度而改變．鋁為最常用的金屬之一，其qm=4.leV．另一種廣泛使用的材料為高摻雜的多晶矽n-與p+多晶矽的功函數分別為4. 05eV與5.05 eV．圖6.8表示在濃度變化下，鋁、n+多晶矽、p+多晶矽等與矽間的功函數差，值得注意的是，隨著電極材料與矽襯底摻雜濃度的不同，ms可能會有超過2V的變化。
欲建構MOS麻豆国产一区的能帶圖，日韩国产成人由夾在獨立金屬與獨立半導體間的氧化層夾心結構開始[圖6.9(a)]．在此獨立的狀態下，所有的能帶均保持水平，此為平帶狀況．在熱平衡狀態下，費米能級必為定值，且真空能級必為連續，為調節功函數差，半導體能帶需向下彎曲，如圖6.9(b)所示．因此在熱平衡狀態下，金屬含正電荷，而半導體表麵則為負電荷．為達到如圖6.2中的理想平帶狀況，需外加一相當於功函數差qms電壓，此對應至圖6.9(a)的狀況，在此需在金屬外加一負電壓VFB(VFB=ms)，而此電壓稱為平帶電壓.
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