導通瞬間基極過驅動峰值輸入電流／bl為了保證迅速導通集電極電流，需要有一個持續時間很短且峰值約為導通期間平均值2～3倍的基極尖峰電流供給基極。該尖峰的持續時間僅為最小導通時間的2%-3%，如圖8.2 (a )所示。
圖 8.2 (b)給出了這種 “ 導通過MOS管驅動” 效應的圖示。如果對導速度沒有要求，則為了 獲得要求的集電極電流 （ Ic1） 所需要的基極輸入電流 （ ／bl ） 隻要滿足將電壓 Vee降低到集電極負載線和lc/Vce曲線的交點處的飽和電壓Vce(at)的水平上就可以了。在滿足上麵要求的／bl的作用下，集電極電流將以某個時間常數ta呈指數上升，並且在3ta的時間內進入 lci5%的範圍內。
然而，若基極電流為2Ib1（過驅動係數為2），集電極電流將迅速上升，直至2/cl.如果沒有電源電壓和負載阻抗的限製，它將在相同的時間3ta後達到2Ic1。但由於集電極電流受電源電壓和負載阻抗的限製，它隻能達到lci.因此集電極電流僅需要0.69兒ta的時間內達到期望值lci，而非3ta.類似地，如果過驅動係數為3(/b=3/b1），則集電極電流會迅速上升，直到接近於 3lc1 。
如果沒有負載阻抗和電源電壓的限製，將在相同的時間3ta 後達到 3Ic1。但事實上集電極電 流受到限製，它隻能達到 lcl。因此集電極電流是在 0.4ta 時間內達到期望值 lc1的，而非3ta為加速晶體管的導通，過驅動係數通常選為2-3。這個過驅動係數用於具有典型B值的晶體管。B值低的晶體管速度很快，不需要高的過驅動係數。而B值高的晶體管速度慢，其相 應的過驅動係數大約為典型B值晶體管的兩倍。
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