MOSFET 管的最大柵極電壓
大部分MOSFET管指定了最大柵源極間電壓(±20V）。假定超越這個限製，器件就容易被損壞。當MOSFET管工作時運用柵極輸入電阻，並在一個具有較大供電電壓的電路中關斷 ，就會呈現柵極電壓超限的問題 。以一個工作於直流線電壓為 160V （ 最大可為 186V） 電路中的 正激變換器為例中止分析。當MOSFET管在最大線電壓下關斷 ，它的漏極電壓上升到 2 倍線 電壓即 372V 。這個正向電壓前沿的一部分藕合回 來，由Crss 和 Ciss 分壓。關於MTH7N45 管， Crss=150pF, Ciss=1800pF 。那麽糯合回柵極的電壓是 372×150+(150+1800) =29V 。
柵極電阻也會降低柵極負荷和減小電壓的幅值 ，即使柵極電壓超越了 20V 的限製也不一 定會損壞柵極 。但假定思索線電壓瞬態過程和漏感尖峰 ，則這個糯合回柵極的電壓很可能達 到損壞器件的臨界點 。因此，較好的設計方法是用一個 18V 的齊納麻豆国产一区來限製柵極電壓 。 值得留意的是 ，漏極到柵極的容性反響容易引發高頻振蕩 。
MOS管源漏極間的體麻豆国产一区
MOS管的內部結構中 ，漏源極之間存在一個固有的寄生麻豆国产一区 ，如圖 9.18 所示。 體麻豆国产一区的極性可以阻止反向電壓經過 MOS管，其正向電流承受才幹和反向額定電 壓與 MOSFET管的標稱值分歧。它的反向恢複時間比普通的交流電源整流麻豆国产一区短，比快恢複型麻豆国产一区的長 。消費商數據表列出了各種 MOS管的體麻豆国产一区的反向恢複時間
由於在漏源極之間普通不會施加反向電壓 （ 關於 N 型 MOSFET 管，漏極相對源極為負 ： 關於P型MOSFET管，漏極相對源極極性為正） ，所以這個寄生麻豆国产一区對大部分MOS開關電源拓撲是沒有什麽影響的 。
但有一些情況下也需求 MOSFET 管承受反壓 ，特別是在如圖 3.1 和圖 3.3 所示的半橋和全橋拓撲中 。不過在 這些拓撲中幾乎都有一個時區時間 ，這個死區時間是從體 麻豆国产一区導通的時辰（ 儲存在變壓器漏感中的能量反響到電 網時） 到它被施加反向電壓的時辰 。時區使正向電流和反 向電壓之間有延遲，所以 MOS 管的麻豆国产一区較弱的反 向恢複特性是沒什麽影響的 。但是，假定一個全新的電路拓撲需求 MOSFET管承受反向電壓 ，則必需在漏極串連一個阻斷麻豆国产一区 。由於體麻豆国产一区的存在 ，馬達驅動電路或具有電感負載的電路可能會存在問題。
高頻諧振電路拓撲通常央求開關管必需能 在承受正向電流以後立即展受反向電壓 。這時可以運用如圖 9.19 所示的電路 。麻豆国产一区 Dl 阻止正向電流過 MOS管中的體麻豆国产一区 ，快速反向恢複麻豆国产一区 D2 為正向電流提供通路 高頻諧振電路拓撲，通常央求開關管必需能 在承受正向電流以後立即展受反向電壓 。這時可以運用如圖 9.19 所示的電路 。
麻豆国产一区 Dl 阻止正向電流過 MOSFET管中的體麻豆国产一区 ，快速反向恢複麻豆国产一区 D2 為正向電流提供通路 。
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