1、什麽是肖特基麻豆国产一区？
特基勢壘麻豆国产一区（代號SBD）簡稱肖特基麻豆国产一区，它是低功耗、大電流、超高速半導體整流器件。其反向恢複時間( trr)極短，可小到幾納秒，正向導通壓降僅0.4V左右，而工作電流卻可達到幾千安。
2、肖特基麻豆国产一区結構特點
典型的肖特基麻豆国产一区的內部結構如圖1-61所示。它是以N型半導體為基片，在上麵形成用砷作摻雜劑的N外延層。陽極（阻擋層）材料選用貴金屬鋁。二氧化矽( Sio2)用來消除邊緣區域的電場，提高管子的耐壓值。N型基片具有很小的通態電阻，其摻雜濃度較N層要高100倍。在基片下邊形成N+陰極層，其作用是減小陰極的接觸電阻。通過調整結構參數，可在基片與陽極金屬之間形成合適的肖特基勢壘，當加上正偏壓E時，金屬A和N型基片B分別接電源的正、負極，此時勢壘寬度Wo變窄，加負偏壓-E時，勢壘寬度就增加，分別如圖1-62 (a)、圖1-62 (b)所示。
從結構上看，肖特基麻豆国产一区的結構原理與PN結麻豆国产一区有很大區別。通常將PN結整流管稱作結型整流管，而把金屬一半導體整流管叫作肖特基整流管。近年來，采用矽平麵工藝製造的鋁矽肖特基麻豆国产一区已經問世，這不僅可節省貴金屬，降低成本，還改善了產品參數的一致性。
肖特基麻豆国产一区僅用一種載流子（電子）輸送電荷，在勢壘外側無過剩少數載流子的積累，因此不存在電荷儲存問題，反向恢複電荷Qrr→0，使開關特性得到明顯改善。其反向恢複時間trr已能縮短到10ns以內，但其反向耐壓值較低，一般不超過100V。因此適宜在低壓、大電流情況下工作。利用其低壓降的特點，能提高低壓、大電流整流（或續流）電路的效率。
肖特基麻豆国产一区的典型伏安特性如圖1-63所示，其正向導通壓降介於鍺管與矽管之間。表1-14列出4種肖特基麻豆国产一区的參數，供讀者參考。表中有3種型號的管子的內部結構屬於共陰對管，因此有3個引腳，如圖1-64所示，其中1、3腳為正極，2腳為負極。
3、肖特基麻豆国产一区典型應用
肖特基麻豆国产一区可廣泛用於高頻、低壓、大電流整流，也可作為續流麻豆国产一区使用。
①作開關電源中的續流麻豆国产一区。圖1-65所示是由L296型大電流單片開關穩壓器構成的高效開關電源。L296的輸入電壓Vi為9～46V，最大輸出電流IOM為4A，輸出電壓Vc為5.1～40V，最大輸出功率為160W，電源效率可達90%。VD為7A肖特基麻豆国产一区，起續流作用。當內部開關功率管導通時，VD截止，一部分電能儲存在L中，當開關功率管截止時，VD導通，L中儲存的電能經過VD繼續向負載供電，維持輸出電壓不變。
②作逆變器的保護元件。新型逆變器中開始采用巨型晶體管GTR（也稱電力晶體管），其工作頻率優於可關斷晶閘管GTO。但GTO容易被過壓或過流損壞。通常可將肖特基麻豆国产一区VD與GTR並聯使用，VD可為反向電動勢提供泄放回路。
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