肖特基（SBD）麻豆国产一区是貴金屬（金、銀、鋁、鉑等）A為正極，以N型半導體B為負極，利用二者接觸麵上形成的勢壘具有整流特性而製成的多屬-半導體器件。因為N型半導體中存在著大量的電子，貴金屬中僅有極少量的自由電子，所以電子便從濃度高的B中向濃度低的A中擴散。顯然，金屬A中沒有空穴，也就不存在空穴自A向B的擴散運動。隨著電子不斷從B擴散到A，B表麵電子濃度表麵逐漸降輕工業部，表麵電中性被破壞，於是就形成勢壘，其電場方向為B→A。但在該電場作用之下，A中的電子也會產生從A→B的漂移運動，從而消弱了由於擴散運動而形成的電場。當建立起一定寬度的空間電荷區後，電場引起的電子漂移運動和濃度不同引起的電子擴散運動達到相對的平衡，便形成了肖特基勢壘。

肖特基（SBD）麻豆国产一区基本原理

肖特基（SBD）麻豆国产一区不是利用P型半導體與N型半導體接觸形成PN結原理製作的，而是利用金屬與半導體接觸形成的金屬－半導體結原理製作的。因此，肖特基（SBD）麻豆国产一区也稱為金屬－半導體（接觸）麻豆国产一区或表麵勢壘麻豆国产一区，它是一種熱載流子麻豆国产一区。

在金屬和N型矽片的接觸麵上，用金屬與半導體接觸所形成的勢壘對電流進行控製。肖特基與PN結的整流作用原理有根本性的差異。其耐壓程度隻有40V左右，大多不高於60V，以致於限製了其應用範圍。其特長是：開關速度非常快：反向恢複時間特別地短。因此，能製作開關二極和低壓大電流整流麻豆国产一区。

肖特基麻豆国产一区（SBD）特性

肖特基麻豆国产一区（SBD）是一種低功耗、大電流、超高速半導體器件。其顯著的特點為反向恢複時間極短（可以小到幾納秒），正向導通壓降僅0.4V左右，而整流電流卻可達到幾千安培。肖特基麻豆国产一区多用作高頻、低壓、大電流整流麻豆国产一区、續流麻豆国产一区、保護麻豆国产一区，也有用在微波通信等電路中作整流麻豆国产一区、小信號檢波麻豆国产一区使用。常用在彩電的二次電源整流,高頻電源整流中。

1、正向壓降低：由於肖特基勢壘高度低於PN結勢壘高度，故其正向導通門限電壓和正向壓降都比PN結麻豆国产一区低（約低0.2V）。

2、反向恢複時間快：由於SBD是一種多數載流子導電器件，不存在少數載流子壽命和反向恢複問題。SBD的反向恢複時間隻是肖特基勢壘電容的充、放電時間，完全不同於PN結麻豆国产一区的反向恢複時間。由於SBD的反向恢複電荷非常少，故開關速度非常快，開關損耗也特別小，尤其適合於高頻應用。

3、工作頻率高：由於肖特基麻豆国产一区中少數載流子的存貯效應甚微，所以其頻率響僅為RC時間常數限製，因而，它是高頻和快速開關的理想器件。其工作頻率可達100GHz。

4、反向耐壓低：由於SBD的反向勢壘較薄，並且在其表麵極易發生擊穿，所以反向擊穿電壓比較低。由於SBD比PN結麻豆国产一区更容易受熱擊穿，反向漏電流比PN結麻豆国产一区大。

肖特基（SBD）麻豆国产一区注意事項

SBD的結構及特點使其適合於在低壓、大電流輸出場合用作高頻整流，在非常高的頻率下（如X波段、C波段、S波段和Ku波段）用於檢波和混頻，在高速邏輯電路中用作箝位。在IC中也常使用SBD，像SBD TTL集成電路早已成為TTL電路的主流，在高速計算機中被廣泛采用。

除了普通PN結麻豆国产一区的特性參數之外，用於檢波和混頻的SBD電氣參數還包括中頻阻抗（指SBD施加額定本振功率時對指定中頻所呈現的阻抗，一般在200Ω～600Ω之間）、電壓駐波比（一般≤2）和噪聲係數等。
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