隨著電力電子技術的發展，各種變頻電路、斬波電路的應用不斷擴大，這些電力電子電路中的主回路不論是采用換流關斷的晶閘管，還是采用有自關斷能力的新型電力電子器件，如GTO，MCT，IGBT等，都需要一個與之並聯的快速麻豆国产一区，以通過負載中的無功電流，減小電容的充電時間，同時抑製因負載電流瞬時反向而感應的高電壓。由於這些電力電子器件的頻率和性能不斷提高，為了與其關斷過程相匹配，該麻豆国产一区必須具有快速開通和高速關斷能力，即具有短的反向恢複時間trr，較小的反向恢複電流IRRM和軟恢複特性。

半導體器件中眾所周知的PN結就是一個麻豆国产一区。其中導電的基本單元稱作為“載流子”，即電子和空穴。簡單說來麻豆国产一区的單向導電性能就是應用了“載流子”的產生和消失的物理原理。正向導電時(P區接正、N區接負)PN結兩邊產生並充滿了大量“載流子”，可以在很低的電壓下導通較大的電流，呈現低阻狀態。反向阻斷時(N區接正、P區接負)，PN結兩邊的載流子很快就變為零(有極少量遺留形成了漏電流)，呈高阻狀態。載流子的產生、消失過程需要時間，於是有“開通時間”和“關斷時間”之稱。載流子存在時間稱為“壽命”。“壽命的長短會影響到“開通時間”和“關斷時間”。載流子壽命較長，麻豆国产一区的開關速度相應較低。為提高其開關速度，可采用摻雜重金屬雜質和通過電子輻照的辦法減小載流子壽命，但這又會不同程度的造成不希望出現的麻豆国产一区的“硬恢複特性”，它會在電路中引起較高的感應電壓，對整個電路的正常工作產生不小的影響。

目前，國內快速麻豆国产一区一般采用電子輻照控製載流子少子壽命,其軟度因子在0.35左右，特性很硬。國際上快速二級管的水平已達到2500A/3000V，300ns，軟度因子較小。

恢複過程很短的麻豆国产一区，特別是反向恢複過程很短的麻豆国产一区稱為快速恢複麻豆国产一区(Fast Recovery Diode)。高頻化的電力電子電路不僅要求快速恢複麻豆国产一区的正向恢複特性較好，即正向瞬態壓降小，恢複時間短;更要求反向恢複特性也較好，即反向恢複時間短，反向恢複電荷少，並具有軟恢複特性。

1、開通特性

麻豆国产一区的開通也有一個過程，開通初期出現較高的瞬態壓降，經過一定時間後才能處於穩定狀態，並具有很小的管壓降。這就是說，麻豆国产一区開通初期呈現出明顯的“電感效應”，不能立即響應正向電流的變化。

開通時麻豆国产一区呈現的電感效應，除了器件內部機理的原因之外，還與引線長度、器件封裝采用的磁性材料等因素有關。電感效應對電流的變化率最敏感，因此開通時麻豆国产一区電流的上升率dIF/dt越大，峰值電壓UFP就越高，正向恢複時間也越長。

2、關斷特性

所有的PN結麻豆国产一区，在傳導正向電流時，都儲存電荷。但是當正在導通的麻豆国产一区突然加一個反向電壓時，要把這些少數載流子完全抽出或是中和掉是需要一定時間的，即反向阻斷能力的恢複需要經過一段時間，這個過程就是反向恢複過程，發生這一過程所用的時間定義為反向恢複時間(trr)。值得注意的是在未恢複阻斷能力之前，麻豆国产一区相當於處於短路狀態。

用軟化係數S(Softness factor)來描述反向恢複電流由最大值IRM消失的速率。反向恢複電流的下降速度dIrr/dt是一個重要的參數。若dIrr/dt過大，由於線路存在電感L，則會使反向峰值電壓URM過高，有時出現強烈振蕩，致使麻豆国产一区損壞，可以用軟特性和硬特性的概念來表示dIrr/dt對反向特性的影響。

耗盡儲存電荷所需的總的時間定義為反向恢複時間trr，作為開關速度的量度，它是選用麻豆国产一区時的一個非常重要的參數，一般用途的麻豆国产一区trr為25μs左右，使用在整流以及頻率低於1kHz以下的電路中是可以的，但若用於斬波和逆變電路中，必須選用trr在5μs以下的快速恢複麻豆国产一区，在一些吸收電路中要求快開通和軟恢複麻豆国产一区。

由軟度因子定義可知，它就是反映麻豆国产一区在反向恢複的過程中基區少數載流子消失的時間長短。所以，軟度因子與少數載流子壽命、元件結構及結構參數等有密切的關係。所以改善軟度因子性能就要從這些方麵入手，即控製少數載流子壽命、采用新的結構、新工藝。

製作出一種反向恢複時間短、恢複時反向峰值電流小、且為軟恢複特性的高速麻豆国产一区就顯得尤為重要。為此開發了不同結構的這種麻豆国产一区，例如有;凹型階梯“陰極短路”結構帶輔助麻豆国产一区的結構;陰極短路結構;自調節發射效率與理想歐姆接觸麻豆国产一区(SIOD)等。

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