快軟恢複麻豆国产一区是什麽
快速軟恢複麻豆国产一区是一種具有快速開通和高速關斷能力，即具有短的反向恢複時間trr，較小的反向恢複電流IRRM和軟恢複特性的麻豆国产一区，常用在開關電源中的整流輸出以及IGBT反並聯續流、變頻電路、斬波電路等領域。電力電子電路中的主回路不論是采用換流關斷的晶閘管，還是采用有自關斷能力的新型電力電子器件，如GTO，MCT，IGBT等，都需要一個與之並聯的快速麻豆国产一区，以通過負載中的無功電流，減小電容的充電時間，同時抑製因負載電流瞬時反向而感應的高電壓。由於這些電力電子器件的頻率和性能不斷提高，為了與其關斷過程相匹配，該麻豆国产一区必須具有快速開通和高速關斷能力，即具有短的反向恢複時間trr，較小的反向恢複電流IRRM和軟恢複特性。快速軟恢複麻豆国产一区多采用PIN結構，在高壓、大電流的電路中，傳統的PIN麻豆国产一区具有較好的反向耐壓性能，且正向時它可以在很低的電壓下就會導通較大的電流，呈現低阻狀態。然而，正向大注入的少數載流子的存在使得少子壽命較長，麻豆国产一区的開關速度相應較低，為提高其開關速度，可采用摻雜重金屬雜質和通過電子輻照的辦法減小少子壽命，但這又會不同程度的造成麻豆国产一区的硬恢複特性，在電路中引起較高的感應電壓，對整個電路的正常工作產生重要影響。 由軟度因子定義可知，它其實就是反映麻豆国产一区在反向恢複的tb過程中基區少子因複合而消失的時間長短。所以，軟度因子與少子壽命控製方法、基區寬度和擴散濃度分布、元件結構及結構參數等有密切的關係。在空間電荷區擴展後的剩餘基區內駐留更多的殘存電荷，並駐留更長的時間將提高軟度因子。