場效應管分為結型場效應管（JFET）和絕緣柵場效應管（MOS管）兩大類。按溝道材料型和絕緣柵型各分N溝道和P溝道兩種；按導電方式：耗盡型與增強型，結型場效應管均為耗盡型，絕緣柵型場效應管既有耗盡型的，也有增強型的。場效應晶體管可分為結場效應晶體管和MOS場效應晶體管，而MOS場效應晶體管又分為N溝耗盡型和增強型；P溝耗盡型和增強型四大類。絕緣柵場效應管是由金屬、氧化物和半導體所組成，所以又稱為金屬—氧化物—半導體場效應管，簡稱MOS場效應管。絕緣柵型場效應管的工作原理(以N溝道增強型MOS場效應管為例)它是利用UGS來控製“感應電荷”的多少，以改變由這些“感應電荷”形成的導電溝道的狀況，然後達到控製漏極電流的目的。在製造管子時，通過工藝使絕緣層中出現大量正離子，故在交界麵的另一側能感應出較多的負電荷，這些負電荷把高滲雜質的N區接通，形成了導電溝道，即使在VGS=0時也有較大的漏極電流ID。當柵極電壓改變時，溝道內被感應的電荷量也改變，導電溝道的寬窄也隨之而變，因而漏極電流ID隨著柵極電壓的變化而變化。場效應管的工作方式有兩種：所謂的增強還是耗盡，主要是指MOS管內的反型層。如果在不通電情況下，反型層不存在，電壓加到一定程度後，反型層才出現，(當柵壓為零，漏極電流也為零，必須再加一定的柵壓之後才有漏極電流的)這個就是增強。相反，如果反型層一開始就存在，隨著電壓強弱，反型層會出現增加或者衰減，(當柵壓為零時有較大漏極電流的)這個就是耗盡。
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