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抑製副邊整流麻豆国产一区尖峰電壓
  • 發布時間:2019-12-07 17:32:34
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抑製副邊整流麻豆国产一区尖峰電壓
前沿尖峰的一些抑製方法
1選用軟恢複特性的肖特基麻豆国产一区,或采用在整流管前串聯電感的方法比較有效,或在開關管整流管的磁珠。磁芯材料選用對高頻振蕩呈高阻抗衰減特性的鐵氧體材料,等。
2在二次側接入RC吸收回路可進一步減小前沿尖峰的幅值,降低麻豆国产一区恢複過程中的振蕩頻率。
3多個整流麻豆国产一区並聯;適當增大整流麻豆国产一区的電流容量,可相對減小反向恢複時的關斷時間,限製反向短路電流的數值,可抑製電流尖峰和降低導通損耗。
4盡量使元件布局走線合理 ,減小大電流回路的麵積,對EMI的抑製也比較有效。
後沿尖峰的抑製方法
5選用開關速度快的整流麻豆国产一区
6選用高導磁率的磁芯,變壓器設計時激磁電流盡可能小
7選用高磁通密度的材料,確保在惡劣環境下變壓器不會飽和。可取B值為飽和值的一半或1/3; 
8選用閉合磁路的罐形或PQ磁芯減小漏磁。
9高頻變壓器繞製盡量減小漏感。采用夾心繞法或三文治繞法。繞線盡量均勻分布在骨架上。選用漆包線時要考慮到趨膚效應。
10在開關管的D-S之間並聯RC吸收回路。
整流麻豆国产一区尖峰電壓
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