（sic）碳化矽JFET有著高輸入阻抗、低噪聲和線性度好等特點，是目前發展較快的碳化矽器件之一，並且率先實現了商業化。與MOSFET器件相比，JFET器件不存在柵氧層缺陷造成的可靠性問題和載流子遷移率過低的限製，同時單極性工作特性使其保持了良好的高頻工作能力。另外，JFET器件具有更佳的高溫工作穩定性和可靠性。碳化矽JFET器件的門極的結型結構使得通常JFET的閾值電壓大多為負，即常通型器件，這對於電力電子的應用極為不利，無法與目前通用的驅動電路兼容。

美國公司和Rutgers大學通過引入溝槽注入式或者台麵溝槽結構(TIVJFET)的器件工藝，開發出常斷工作狀態的增強型器件。但是增強型器件往往是在犧牲一定的正向導通電阻特性的情況下形成的，因此常通型(耗盡型)JFET更容易實現更高功率密度和電流能力，而耗盡型JFET器件可以通過級聯的方法實現常斷型工作狀態。級聯的方法是通過串聯一個低壓的Si基MOSFET來實現。級聯後的JFET器件的驅動電路與通用的矽基器件驅動電路自然兼容。級聯的結構非常適用於在高壓高功率場合替代原有的矽IGBT器件，並且直接回避了驅動電路的兼容問題。

目前，（sic）碳化矽JFET器件以及實現一定程度的產業化，主要由Infineon和SiCED公司推出的產品為主。產品電壓等級在1200V、1700V，單管電流等級最高可以達20A，模塊的電流等級可以達到100A以上。2011年，田納西大學報到了50kW的碳化矽模塊，該模塊采用1200V/25A的SiC  JFET並聯，反並聯麻豆国产一区為SiCSBD。2011年，GlobalPowerElectronics研製了使用SiCJFET製作的高溫條件下SiC三相逆變器的研究，該模塊峰值功率為50kW(該模塊在中等負載等級下的效率為98.5%@10kHz、10kW，比起Si模塊效率更高。2013年Rockwell  公司采用600V /5A  MOS增強型JFET以及碳化矽麻豆国产一区並聯製作了電流等級為25A的三相電極驅動模塊，並與現今較為先進的IGBT、pin麻豆国产一区模塊作比較：在同等功率等級下(25A/600V)，麵積減少到60%，該模塊旨在減小通態損耗以及開關損耗以及功率回路當中的過壓過流。

碳化矽（SiC）是目前發展最成熟的寬禁帶半導體材料，世界各國對SiC的研究非常重視，紛紛投入大量的人力物力積極發展，美國、歐洲、日本等不僅從國家層麵上製定了相應的研究規劃，而且一些國際電子業巨頭也都投入巨資發展碳化矽半導體器件。

與普通矽相比，采用碳化矽的元器件有如下特性：

1、高壓特性

碳化矽器件是同等矽器件耐壓的10倍

碳化矽肖特基管耐壓可達2400V。

碳化矽場效應管耐壓可達數萬伏，且通態電阻並不很大。

2、高溫特性

在Sic材料已經接近理論性能極限的今天，SiC功率器件因其高耐壓、低損耗、高效率等特性，一直被視為“理想器件”而備受期待。然而，相對於以往的Si材質器件，SiC功率器件在性能與成本間的平衡以及其對高工藝的需求，將成為SiC功率器件能否真正普及的關鍵。

目前,低功耗的碳化矽器件已經從實驗室進入了實用器件生產階段。目前碳化矽圓片的價格還較高,其缺陷也多。通過不斷的研究開發,預計到2010年前後,碳化矽器件將主宰功率器件的市場。但實際上並非如此。

烜芯微科技的碳化矽(SiC)麻豆国产一区

烜芯微科技根據日益嚴苛的行業標準和市場對高能效產品的需求，推出新型600V-1700V碳化矽麻豆国产一区，可幫助製造商滿足這些不斷上升的能效需求，提供更好的可靠性、耐用性和成本效率。

烜芯微科技的碳化矽(SiC)麻豆国产一区產品特點及優勢

600v碳化矽麻豆国产一区的產品特點，烜芯微科技設計生產的碳化矽麻豆国产一区具有較短的恢複時間、溫度對於開關行為的影響較小、標準工作溫度範圍為-55℃到175℃，這樣更穩定，還大大降低散熱器的需求。碳化矽麻豆国产一区的主要優勢在於它具有超快的開關速度且無反向恢複電流，與矽器件相比，它能夠大大 降低開關損耗並實現卓越的能效。更快的開關速度同時也能讓製造商減小產品電磁線圈以及相關無源組件的尺寸，從而提高組裝效率，減輕係統重量，並降低物料（BOM）成本。

烜芯微科技最新發布的650V-1700V碳化矽(SiC)麻豆国产一区係列提供8安培（A）到20A的表麵貼裝和穿孔封裝。所有麻豆国产一区均提供零反向恢複、低正向壓、不受溫度影響的電流穩定性、高浪湧容量和正溫度係數。工程師在設計用於太陽能光伏逆變器、電動車/混和動力電動車（EV / HEV）充電器、電信電源和數據中心電源等各類應用的PFC和升壓轉換器時，往往麵對在更小尺寸實現更高能效的挑戰。這些全新的麻豆国产一区能為工程師解決這些挑戰。

烜芯微科技的碳化矽(SiC)麻豆国产一区具有獨特的專利終端結構，加強可靠性並提升穩定性和耐用性。此外，麻豆国产一区提供更高的雪崩能量、業界最高的非鉗位感應開關（UIS）能力和最低的電流泄漏。

關於烜芯微科技及標準封裝

烜芯微科技在碳化矽(SiC)麻豆国产一区封裝齊全：TO-220F-2、TO-220-2、TO-247-2

深圳市烜芯微科技科技有限公司.是一家專業從事中、大、功率場效應管(MOSFET)、快速恢複麻豆国产一区、三端穩壓管開發設計，集研發、生產和銷售為一體的國家高新技術企業。現已經擁有了獨立的研發中心，研發人員以來自韓國(台灣)超一流團隊，可以快速根據客戶應用領域的個性來設計方案，同時引進多台國外先進設備，業務含括功率器件的直流參數檢測、雪崩能量檢測、可靠性實驗、係統分析、失效分析等領域。強大的研發平台，使得烜芯微在工藝製造、產品設計方麵擁有知識產權35項，並掌握多項場效應管核心製造技術。自主研發已經成為了企業的核心競爭力。
烜芯微專業製造麻豆国产一区，三極管,MOS管，橋堆20年，工廠直銷省20%，1500家電路電器生產企業選用，專業的工程師幫您穩定好每一批產品，如果您有遇到什麽需要幫助解決的,可以點擊右邊的工程師,或者點擊銷售經理給您精準的報價以及產品介紹