圖7.2的複製電流源中，假如輸出電壓有△Vout的變動，那麽電流源電路的電流將經過M2輸出電阻r02變化。這個變化量為△Iout，那麽下式成立：
電流源電路的性能由輸出電壓的變動△Vout起電流量的變動△Iout定義，這個值越小，性能越好。從式(7.3)能夠看出，當增大電流源電路的輸出電阻ro2時，有利於電流源性能的進步。
常用柵源放大電路作為增大模仿電路輸出電阻的手腕。如圖7.3所示，假如監視參考電流的電路與產生複製電流的電路都是柵源構造(將器件串級銜接的構造).就能構成輸出電阻大的電流源電路。圖7.3的柵源電路中，M3的漏極電阻r03是M4的本征增益gm4倍的輸出電阻(gm4d r04) r03。放大電路中，為了進步電壓增益而進步輸出電阻。同樣的辦法也被用來進步電流源電路的輸出電阻。柵源電路中，依據式(7，3)，輸出電流的變化量△Iout能夠進一步伐整M4的本征增益（gmro4).
但是由於有4個MOS晶體管，所以如式(7.2)所示的那樣，在飽和區下作的MOS晶體管的柵極源極之間的閾值電壓VT上必需加額外的電壓△ov。圖7.4所示的柵源電流源電路中，處於監視側（左側）的兩個MOS晶體管的柵極電位分別是VT十△ov2（VT+△DV）。這時，為使所定的電流流過M4的源極電壓是VT十△ov，所以由飽和區工作條件得到的輸出電壓Vout下限是VT+ 2△ov。例如，假如MOS晶體管的閾值電壓VT=0.5V，△OV=0. 2V，那麽輸出電壓的下限就是o.9v。
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