快恢複麻豆国产一区是指反向恢複時間很短的麻豆国产一区（5us以下），工藝上多采用摻金措施，結構上有采用PN結型結構，有的采用改進的PIN結構。其正向壓降高於普通麻豆国产一区（1-2V），反向耐壓多在1200V以下。從性能上可分為快恢複和超快恢複兩個等級。前者反向恢複時間為數百納秒或更長，後者則在100納秒以下。
肖特基麻豆国产一区是以金屬和半導體接觸形成的勢壘為基礎的麻豆国产一区，簡稱肖特基麻豆国产一区(Schottky Barrier Diode），具有正向壓降低（0.4--0.5V）、反向恢複時間很短（10-40納秒），而且反向漏電流較大，耐壓低，一般低於150V，多用於低電壓場合。這兩種管子通常用於開關電源。
肖特基麻豆国产一区和快恢複麻豆国产一区區別：前者的恢複時間比後者小一百倍左右，前者的反向恢複時間大約為幾納秒。
前者的優點還有低功耗，大電流，超高速！電氣特性當然都是麻豆国产一区。
快恢複麻豆国产一区在製造工藝上采用摻金,單純的擴散等工藝,可獲得較高的開關速度,同時也能得到較高的耐壓.目前快恢複麻豆国产一区主要應用在逆變電源中做整流元件。
肖特基麻豆国产一区：反向耐壓值較低40V-50V，通態壓降0.3-0.6V，小於10nS的反向恢複時間。它是具有肖特基特性的“金屬半導體結”的麻豆国产一区。其正向起始電壓較低。其金屬層除材料外，還可以采用金、鉬、鎳、鈦等材料。其半導體材料采用矽或砷化镓，多為N型半導體。這種器件是由多數載流子導電的，所以，其反向飽和電流較以少數載流子導電的PN結大得多。由於肖特基麻豆国产一区中少數載流子的存貯效應甚微，所以其頻率響僅為RC時間常數限製，因而，它是高頻和快速開關的理想器件。其工作頻率可達100GHz。並且，MIS（金屬－絕緣體－半導體）肖特基麻豆国产一区可以用來製作太陽能電池或發光麻豆国产一区。
快恢複麻豆国产一区：有0.8-1.1V的正向導通壓降，35-85nS的反向恢複時間，在導通和截止之間迅速轉換，提高了器件的使用頻率並改善了波形。快恢複麻豆国产一区在製造工藝上采用摻金,單純的擴散等工藝,可獲得較高的開關速度,同時也能得到較高的耐壓.目前快恢複麻豆国产一区主要應用在逆變電源中做整流元件。
通常，5~20A的快恢複麻豆国产一区采用TO-220FP塑料封裝，20A以上的大功率快恢複麻豆国产一区采用頂部帶金屬散熱片的TO-3P塑料封裝，5A一下的快恢複麻豆国产一区則采用DO-41，DO-15，或D0-27等規格塑料封裝。
傳統的快速整流麻豆国产一区使用摻金或鉑的外延片以控製載流子壽命，但這些麻豆国产一区表現出了以下的技術缺點：
1．正向電壓降Vf隨著溫度的升高而降低；
2．高溫下漏電流大；
3．高溫下快速di/dt時開關不穩定。
有一種麻豆国产一区稱為SONIC麻豆国产一区，其反向恢複時間比較長，約0.2～0.4μs，軟度因子在0.7左右。在製造中除了采用平麵結終止結構，玻璃鈍化並有矽橡膠保護外，還采用了從矽片背麵進行深擴散磷和控製軸向壽命抑製因素，使快速麻豆国产一区的反向恢複電流衰減較慢，具有反向“軟恢複”特性，防止在高頻應用時在硬關斷過程中產生過高的反向尖峰電壓，保護了開關器件及其麻豆国产一区自身。該麻豆国产一区在整個工作溫度範圍內性能穩定，並且對於溫度的變化正向電壓降的變化可以忽略不計。該麻豆国产一区是為高頻應用設計的，在高頻應用時穩定可靠。
新的快速軟恢複麻豆国产一区－SONIC麻豆国产一区係列克服了這些缺點，它們的優點為：
1．並聯麻豆国产一区工作時正向電壓降Vf與溫度無關；
2．阻斷電壓穩定，漏電流比摻金和鉑的小；
3．快速軟恢複麻豆国产一区在高溫下反向漏電流從 25℃到125℃比摻鉑FRED少50%。
SONIC麻豆国产一区采用磷深擴散和軸向壽命抑製因素，電壓從600V至1800V，如圖1所示。在硼中受控的軸向壽命抑製因素用來控製區域1中空穴的發射效率。區域2所示的軟N區為軟恢複提供了額外電荷。空穴的較低的發射效率使得器件的正向電壓降對溫度不太敏感，這有利於麻豆国产一区並聯工作，並且在高溫時開關損耗最小。利用電子輻照作為附加的標準壽命抑製因素，麻豆国产一区的軟度可以得到進一步控製。
圖1 SONIC軟恢複麻豆国产一区的壽命控製
該麻豆国产一区恢複波形異常的平滑沒有振蕩，所以電磁幹擾EMI值非常低。這種軟恢複麻豆国产一区不僅導致開關損失減少，而且允許去除麻豆国产一区的並聯RC緩衝器。采用軸向壽命抑製因素可以得到最佳性能的麻豆国产一区。
電力電子學中的功率開關器件（IGBT、MOSFET、BJT、GTO）總是和快速麻豆国产一区相並聯，在增加開關頻率時，除傳導損耗以外，功率開關的固有的功能和效率均由麻豆国产一区的反向恢複特性決定。所以對麻豆国产一区要求正向瞬態壓降小，反向恢複時間斷，反向恢複電荷少，並且具有軟恢複特性。
反向峰值電流IRM是另一個非常重要的特性。反向電流衰變的斜率dirr/dt由芯片的工藝技術和擴散參數決定。在電路中，這個電流斜率與寄生電感有關，例如連接引線，引起過電壓尖峰和高頻幹擾電壓。dirr/dt越高（“硬恢複”特性），麻豆国产一区和並聯的開關上產生的附加電壓越高。反向電流的緩慢衰減（“軟恢複”特性）是令人滿意的特性。
所有的FRED麻豆国产一区都采用了“軟恢複”特性，SONIC麻豆国产一区的恢複特性更“軟”，它們的阻斷電壓範圍寬，使這些快速軟恢複麻豆国产一区能夠作為開關電源(SMPS)的輸出整流器，以及逆變器和焊接電源中的功率開關的保護麻豆国产一区和續流麻豆国产一区。
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