① 整流麻豆国产一区：一種將交流電能轉變為直流電能的半導體器件。通常它包含一個PN結，有陽極和陰極兩個端子。

②P區的載流子是空穴，N區的載流子是電子，在P區和N區間形成一定的位壘。外加使P區相對N區為正的電壓時，位壘降低，位壘兩側附近產生儲存載流子，能通過大電流，具有低的電壓降（典型值為0.7V），稱為正向導通狀態。

③若加相反的電壓，使位壘增加，可承受高的反向電壓，流過很小的反向電流（稱反向漏電流），稱為反向阻斷狀態。整流麻豆国产一区具有明顯的單向導電性。

④整流麻豆国产一区可用半導體鍺或矽等材料製造。矽整流麻豆国产一区的擊穿電壓高，反向漏電流小，高溫性能良好。通常高壓大功率整流麻豆国产一区都用高純單晶矽製造。這種器件的結麵積較大，能通過較大電流（可達上千安），但工作頻率不高，一般在幾十千赫以下。整流麻豆国产一区主要用於各種低頻整流電路。

二、整流麻豆国产一区的選用

整流麻豆国产一区一般為平麵型矽麻豆国产一区，用於各種電源整流電路中。

選用整流麻豆国产一区時，主要應考慮其最大整流電流、最大反向工作電流、截止頻率及反向恢複時間等參數。

普通串聯穩壓電源電路中使用的整流麻豆国产一区，對截止頻率的反向恢複時間要求不高，隻要根據電路的要求選擇最大整流電流和最大反向工作電流符合要求的整流麻豆国产一区即可。例如，1N係列、2CZ係列、RLR係列等。

開關穩壓電源的整流電路及脈衝整流電路中使用的整流麻豆国产一区，應選用工作頻率較高、反向恢複時間較短的整流麻豆国产一区（例如RU係列、EU係列、V係列、1SR係列等）或選擇快恢複麻豆国产一区。

三、整流麻豆国产一区的常用參數

（1）最大平均整流電流IF：指麻豆国产一区長期工作時允許通過的最大正向平均電流。該電流由PN結的結麵積和散熱條件決定。使用時應注意通過麻豆国产一区的平均電流不能大於此值，並要滿足散熱條件。例如1N4000係列麻豆国产一区的IF為1A。

（2）最高反向工作電壓VR：指麻豆国产一区兩端允許施加的最大反向電壓。若大於此值，則反向電流(IR)劇增，麻豆国产一区的單向導電性被破壞，從而 引起反向擊穿。通常取反向擊穿電壓(VB)的一半作為(VR)。例如1N4001的VR為50V，1N4007的VR為1OOOV

（3）最大反向電流IR：它是麻豆国产一区在最高反向工作電壓下允許流過的反向電流，此參數反映了麻豆国产一区單向導電性能的好壞。因此這個電流值越小，表明麻豆国产一区質量越好。

（4）擊穿電壓VR：指麻豆国产一区反向伏安特性曲線急劇彎曲點的電壓值。反向為軟特性時，則指給定反向漏電流條件下的電壓值。

（5）最高工作頻率fm：它是麻豆国产一区在正常情況下的最高工作頻率。主要由PN結的結電容及擴散電容決定，若工作頻率超過fm，則麻豆国产一区的單向導電性能將不能很好地體現。例如1N4000係列麻豆国产一区的fm為3kHz。

（6）反向恢複時間tre：指在規定的負載、正向電流及最大反向瞬態電壓下的反向恢複時間。

（7）零偏壓電容CO：指麻豆国产一区兩端電壓為零時，擴散電容及結電容的容量之和。值得注意的是，由於製造工藝的限製，即使同一型號的麻豆国产一区其參數的離散性也很大。手冊中給出的參數往往是一個範圍，若測試條件改變，則相應的參數也會發生變化，例如在25°C時測得1N5200係列矽塑封整流二極 管的IR小於1OuA，而在100°C時IR則變為小於500uA。

四、整流麻豆国产一区整流電路分析

電力網供給用戶的是交流電，而各種無線電裝置需要用直流電。整流，就是把交流電變為直流電的過程。利用具有單向導電特性的器件，可以把方向和大小交變的電流變換為直流電。下麵介紹利用晶體麻豆国产一区組成的各種整流電路。

1、半波整流電路

圖1是一種最簡單的整流電路。它由電源變壓器B 、整流麻豆国产一区D 和負載電阻RL 組成。變壓器把市電電壓（多為220V或380V）變換為所需要的交變電壓u2，D 再把交流電變換為脈動直流電。 半波整流原理：變壓器砍級電壓u2，是一個方向和大小都隨時間變化的正弦波電壓，它的波形如圖1所示。在0～K時間內，u2為正半周即變壓器上端為正下端為負。此時麻豆国产一区承受正向電壓麵導通，u2通過它加在負載電阻RL上，在π～2π 時間內，u2為負半周，變壓器次級下端為正，上端為負。這時D承受反向電壓，不導通，RL上無電壓。在π～2π時間內，重複0～π 時間的過程，而在3π～4π時間內，又重複π～2π時間的過程。這樣反複下去，交流電的負半周就被“削”掉了，隻有正半周通過RL，在RL上獲得了一個單一右向（上正下負）的電壓，從而達到了整流的目的，但是，負載電壓Usc以及負載電流的大小還隨時間而變化，因此，通常稱它為脈動直流。 

這種除去半周、圖下半周的整流方法，叫半波整流。不難看出，半波整說是以"犧牲"一半交流為代價而換取整流效果的，電流利用率很低（計算表明，整流得出的半波電壓在整個周期內的平均值，即負載上的直流電壓Usc=0.45e2）因此常用在高電壓、小電流的場合，而在一般無線電裝置中很少采用。

2、全波整流電路(單向橋式整流電路)

如果把整流電路的結構作一些調整，可以得到一種能充分利用電能的全波整流電路。

全波整流電路，可以看作是由兩個半波整流電路組合成的。變壓器次級線圈中間需要引出一個抽頭，把次組線圈分成兩個對稱的繞組，從而引出大小相等但極性相反的兩個電壓。如圖2所示，全波整流不僅利用了正半周，而且還巧妙地利用了負半周，從而大大地提高了整流效率（Usc＝0.9e2，比半波整流時大一倍）。 

注：圖2所示的全波整濾電路，需要變壓器有一個使兩端對稱的次級中心抽頭，這給製作上帶來很多的麻煩。另外，這種電路中，每隻整流麻豆国产一区承受的最大反向電壓，是變壓器次級電壓最大值的兩倍，因此需用能承受較高電壓的麻豆国产一区。

3、橋式整流電路

橋式整流電路是使用最多的一種整流電路。這種電路，隻要增加兩隻麻豆国产一区口連接成“橋”式結構，便具有全波整流電路的優點，而同時在一定程度上克服了它的缺點。

橋式整流電路的工作原理如下：u2為正半周時，對D1、D3加正向電壓，Dl，D3導通；對D2、D4加反向電壓，D2、D4截止。電路中構成u2、Dl、RL、D3通電回路，在RL上形成上正下負的半波整洗電壓，u2為負半周時，對D2、D4加正向電壓，D2、D4導通；對D1、D3加反向電壓，D1、D3截止。電路中構成u2、D2、RL、D4通電回路，同樣在RL上形成上正下負的另外半波的整流電壓。如此重複下去，結果在RL上便得到全波整流電壓。

注：從圖3中還不難看出，單相全波橋式整流電路其波形圖和全波整流波形圖是一樣的。但是橋式電路中每隻麻豆国产一区承受的反向電壓等於變壓器次級電壓的最大值，比全波整洗電路小一半！
烜芯微專業製造二三極管,MOS管，20年，工廠直銷省20%，1500家電路電器生產企業選用，專業的工程師幫您穩定好每一批產品，如果您有遇到什麽需要幫助解決的,可以點擊右邊的工程師,或者點擊銷售經理給您精準的報價以及產品介紹