碳化矽麻豆国产一区的曆史-早期應用
本文主要是講碳化矽麻豆国产一区的應用領域與曆史介紹，詳解碳化矽MOS管分類及結構，是矽與碳的唯一合成物就是碳化矽(SiC)，俗稱金剛砂。SiC 在自然界中以礦物碳矽石的形式存在，但十分稀少。不過，自1893 年以來，粉狀碳化矽已被大量生產用作研磨劑。碳化矽用作研磨劑已有一百多年的曆史，主要用於磨輪和眾多其他研磨應用。
1、LED
電致發光現象最早於1907 年使用碳化矽發光麻豆国产一区(LED) 發現。很快，第一批商用SiC 基LED 就生產出來了。20 世紀70 年代，前蘇聯生產出了黃色SiC LED，20 世紀80 年代藍色LED 在世界範圍內廣泛生產。後來推出了氮化镓(GaN) LED，這種LED 發出的光比SiC LED 明亮數十倍乃至上百倍，SiC LED 也因此幾乎停產。然而，SiC 仍然是常用於GaN 設備的基底，同時還用作高功率LED 散熱器。
2、避雷器
達到閾值電壓(VT) 前，SiC 都具有較高的電阻。達到閾值電壓後，其電阻將大幅下降，直至施加的電壓降到VT 以下。最早利用該特性的SiC 電氣應用是配電係統中的避雷器（如圖）。
碳化矽麻豆国产一区的應用
由於SiC 擁有壓敏電阻，因此SiC 芯塊柱可連接在高壓電線和地麵之間。如電源線遭雷擊，線路電壓將上升並超過SiC 避雷器的閾值電壓(VT)，從而將雷擊電流導向並傳至地麵（而非電力線），因此不會造成任何傷害。但是，這些SiC 避雷器在電力線正常工作電壓下過於導電。因而必須串聯一個火花隙。當雷擊使電源線導線的電壓上升時，火花隙將離子化並導電，將SiC 避雷器有效地連接在電力線和地麵之間。後來，相關人員發現避雷器中使用的火花隙並不可靠。由於材料失效、灰塵或鹽侵等原因，可能出現火花隙在需要時無法觸發電弧，或者電弧在閃電結束後無法猝熄的情況。SiC 避雷器本來是用來消除對火花隙的依賴的，但由於其不可靠，有間隙的SiC 避雷器大多被使用氧化鋅芯塊的無間隙變阻器所取代。
3、電力電子中的SiC
使用SiC 生產的半導體設備有多種，包括肖特基麻豆国产一区（也稱肖特基勢壘麻豆国产一区，或SBD）、J 型FET（或JFET），以及用於大功率開關應用的MOSFET。SemiSouth Laboratories（已於2013 年倒閉）在2008 年推出了第一款商用1200 V JFET，Cree 在2011 年生產了第一款商用1200 V MOSFET。在此期間，一些公司也開始嚐試將SiC 肖特基麻豆国产一区裸芯片應用到電力電子模塊中。事實上，SiC SBD 已廣泛用於IGBT 電源模塊和功率因數校正(PFC) 電路。
SiC的利與弊
SiC 基電力電子元件如此吸引人的一個原因就是，在既定阻斷電壓條件下，其摻雜密度比矽基設備幾乎高出百倍。這樣就可以通過低導通電阻獲得高阻斷電壓。低導通電阻對高功率應用至關重要，因為導通電阻降低時發熱少，從而減少了係統熱負荷並提高了整體效率。
但生產SiC 基電子元器件本身也存在一些難點，消除缺陷成了最重要的問題。這些缺陷會導致SiC 晶體製成的元器件反向阻斷性能較差。除了晶體質量問題，二氧化矽和SiC 的接口問題也阻礙了SiC 基功率MOSFET 和絕緣柵雙極型晶體的發展。幸運的是，生產中使用滲氮工藝可使造成這些接口問題的缺陷大大降低。
SiC研磨片
碳化矽仍然在許多工業應用中用作研磨劑。其在電子行業中主要用作拋光膜，用於在拚接前為光導纖維的兩端拋光。這些膜片能夠給光纖接頭帶來有效運作所需的高光潔度。碳化矽的生產已有一百多年的曆史， 但直到最近才用於電力電子行業。由於其具備特殊的物理和電氣特性，在高壓和高溫應用中十分有用。
如今-碳化矽麻豆国产一区在各個領域的應用
1.太陽能逆變器
太陽能發電用麻豆国产一区的基本材料，碳化矽麻豆国产一区的各項技術指標均優於普通雙極麻豆国产一区(silicon bipolar)技術。碳化矽麻豆国产一区導通與關斷狀態的轉換速度非常快，而且沒有普通雙極麻豆国产一区技術開關時的反向恢複電流。在消除反向恢複電流效應後，碳化矽麻豆国产一区的能耗降低70%，能夠在寬溫度範圍內保持高能效，並提高設計人員優化係統工作頻率的靈活性。
2.新能源汽車充電器
碳化矽麻豆国产一区通過汽車級產品測試，極性接反擊穿電壓提高到650V，能夠滿足設計人員和汽車廠商希望降低電壓補償係數 的要求，以確保車載充電半導體元器件的標稱電壓與瞬間峰壓 ，之間有充足的安全裕度 。麻豆国产一区的雙管產品 ，可最大限度提升空間利用率，降低車載充電器的重量。
3.開關電源優勢
碳化矽的使用可以極快的切換，高頻率操作，零恢複和溫度無關的行為，再加日韩国产成人的低電感RP包，這些麻豆国产一区可以用在任向數量的快速開關麻豆国产一区電路或高頻轉換器應用。
4.工業優勢
碳化矽麻豆国产一区：重型電機、工業設備主要是用在高頻電源的轉換器上，可以帶來高效率、大功率、高頻率的優勢。
碳化矽麻豆国产一区的應用
SiC器件
一、SiC器件分類
碳化矽麻豆国产一区的應用
SiC-MOSFET
SiC-MOSFET 是碳化矽電力電子器件研究中最受關注的器件。成果比較突出的就是美國的Cree公司和日本的ROHM公司。
在Si材料已經接近理論性能極限的今天，SiC功率器件因其高耐壓、低損耗、高效率等特性，一直被視為“理想器件”而備受期待。然而，相對於以往的Si材質器件，SiC功率器件在性能與成本間的平衡以及其對高工藝的需求，將成為SiC功率器件能否真正普及的關鍵。
二、碳化矽MOS的結構
碳化矽MOSFET（SiC MOSFET）N+源區和P井摻雜都是采用離子注入的方式，在1700℃溫度中進行退火激活。另一個關鍵的工藝是碳化矽MOS柵氧化物的形成。由於碳化矽材料中同時有Si和C兩種原子存在，需要非常特殊的柵介質生長方法。其溝槽星結構的優勢如下：
碳化矽麻豆国产一区的應用
SiC-MOSFET采用溝槽結構可最大限度地發揮SiC的特性。
碳化矽麻豆国产一区的應用
三、碳化矽MOS的優勢
矽IGBT在一般情況下隻能工作在20kHz以下的頻率。由於受到材料的限製，高壓高頻的矽器件無法實現。碳化矽MOSFET不僅適合於從600V到10kV的廣泛電壓範圍，同時具備單極型器件的卓越開關性能。相比於矽IGBT，碳化矽MOSFET在開關電路中不存在電流拖尾的情況具有更低的開關損耗和更高的工作頻率。
20kHz的碳化矽MOSFET模塊的損耗可以比3kHz的矽IGBT模塊低一半， 50A的碳化矽模塊就可以替換150A的矽模塊。顯示了碳化矽MOSFET在工作頻率和效率上的巨大優勢。
碳化矽MOSFET寄生體麻豆国产一区具有極小的反向恢複時間trr和反向恢複電荷Qrr。如圖所示，同一額定電流900V的器件，碳化矽MOSFET 寄生麻豆国产一区反向電荷隻有同等電壓規格矽基MOSFET的5%。對於橋式電路來說（特別當LLC變換器工作在高於諧振頻率的時候），這個指標非常關鍵，它可以減小死區時間以及體麻豆国产一区的反向恢複帶來的損耗和噪音，便於提高開關工作頻率。
碳化矽麻豆国产一区的應用
四、碳化矽MOS管的應用
碳化矽MOSFET模塊在光伏、風電、電動汽車及軌道交通等中高功率電力係統應用上具有巨大的優勢。碳化矽器件的高壓高頻和高效率的優勢，可以突破現有電動汽車電機設計上因器件性能而受到的限製，這是目前國內外電動汽車電機領域研發的重點。如電裝和豐田合作開發的混合電動汽車（HEV）、純電動汽車（EV）內功率控製單元（PCU），使用碳化矽MOSFET模塊，體積比減小到1/5。三菱開發的EV馬達驅動係統，使用SiC MOSFET模塊，功率驅動模塊集成到了電機內，實現了一體化和小型化目標。預計在2018年-2020年碳化矽MOSFET模塊將廣泛應用在國內外的電動汽車上。
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