快恢複麻豆国产一区介紹
快恢複麻豆国产一区（簡稱FRD）是一種具有開關特性好、反向恢複時間短特點的半導體麻豆国产一区，主要應用於開關電源、PWM脈寬調製器、變頻器等電子電路中，作為高頻整流麻豆国产一区、續流麻豆国产一区或阻尼麻豆国产一区使用。 快恢複麻豆国产一区的內部結構與普通PN結麻豆国产一区不同，它屬於PIN結型麻豆国产一区，即在P型矽材料與N型矽材料中間增加了基區I，構成PIN矽片。因基區很薄，反向恢複電荷很小，所以快恢複麻豆国产一区的反向恢複時間較短，正向壓降較低，反向擊穿電壓（耐壓值）較高。
快恢複麻豆国产一区特點
一、反向恢複時間
快恢複麻豆国产一区的反向恢複時間（tr）的定義：電流通過零點由正向轉換到規定低值的時間間隔。它是衡量高頻續流及整流器件性能的重要技術指標。反向恢複電流的波形如圖1所示。IF為正向電流，IRM為最大反向恢複電流。Irr為反向恢複電流，通常規定Irr=0.1IRM。當t≤t0時，正向電流I=IF。當t>t0時，由於整流器件上的正向電壓突然變成反向電壓，因此正向電流迅速降低，在t=t1時刻，I=0。然後整流器件上流過反向電流IR，並且IR逐漸增大；在t=t2時刻達到最大反向恢複電流IRM值。此後受正向電壓的作用，反向電流逐漸減小，並在t=t3時刻達到規定值Irr。從t2到t3的反向恢複過程與電容器放電過程有相似之處。
結構特點
快恢複麻豆国产一区的內部結構與普通麻豆国产一区不同，它是在P型、N型矽材料中間增加了基區I，構成P-I-N矽片。由於基區很薄，反向恢複電荷很小，不僅大大減小了trr值，還降低了瞬態正向壓降，使管子能承受很高的反向工作電壓。快恢複麻豆国产一区的反向恢複時間一般為幾百納秒，正向壓降約為0.6V，正向電流是幾安培至幾千安培，反向峰值電壓可達幾百到幾千伏。超快恢複麻豆国产一区的反向恢複電荷進一步減小，使其trr可低至幾十納秒。
20A以下的快恢複及超快恢複麻豆国产一区大多采用TO-220封裝形式。從內部結構看，可分成單管、對管（亦稱雙管）兩種。對管內部包含兩隻快恢複麻豆国产一区，根據兩隻麻豆国产一区接法的不同，又有共陰對管、共陽對管之分。圖2(a)是C20-04型快恢複麻豆国产一区（單管）的外形及內部結構。(b)圖和(c)圖分別是C92-02型（共陰對管）、MUR1680A型（共陽對管）超快恢複麻豆国产一区的外形與構造。它們均采用TO-220塑料封裝，
幾十安的快恢複麻豆国产一区一般采用TO-3P金屬殼封裝。更大容量（幾百安～幾千安）的管子則采用螺栓型或平板型封裝形式。
反向恢複時間
測量電路如圖3。由直流電流源供規定的IF，脈衝發生器經過隔直電容器C加脈衝信號，利用電子示波器觀察到的trr值，即是從I=0的時刻到IR=Irr時刻所經曆的時間。設器件內部的反向恢電荷為Qrr，有關係式：
trr≈2Qrr/IRM (5.3.1)
由式(5.3.1)可知，當IRM為一定時，反向恢複電荷愈小，反向恢複時間就愈短。
常規檢測方法
快恢複麻豆国产一区的常規檢測方法如下：在業餘條件下，利用萬用表能檢測快恢複、超快恢複麻豆国产一区的單向導電性，以及內部有無開路、短路故障，並能測出正向導通壓降。若配以兆歐表，還能測量反向擊穿電壓。實例：測量一隻C90-02超快恢複麻豆国产一区，其主要參數為：trr=35ns，Id=5A，IFSM=50A，VRM=700V。外型同圖(a)。將500型萬用表撥至R×1檔，讀出正向電阻為6.4Ω，n′=19.5格；反向電阻則為無窮大。進一步求得VF=0.03V/格×19.5=0.585V。證明管子是好的。
注意事項
快恢複麻豆国产一区注意事項：
1）有些單管，共三個引腳，中間的為空腳，一般在出廠時剪掉，但也有不剪的。
2）若對管中有一隻管子損壞，則可作為單管使用。
3）測正向導通壓降時，必須使用R×1檔。若用R×1k檔，因測試電流太小，遠低於管子的正常工作電流，故測出的VF值將明顯偏低。在上麵例子中，如果選擇R×1k檔測量，正向電阻就等於2.2kΩ，此時n′=9格。由此計算出的VF值僅0.27V，遠低於正常值(0.6V)。
快恢複麻豆国产一区好壞判斷
快恢複麻豆国产一区好壞判斷，快恢複麻豆国产一区采用PIN結構，所以它的內部結構與普通PN結麻豆国产一区不同，在P型矽材料與N型矽材料中間增加了基區I，構成PIN矽片。而基區很薄，反向恢複電荷很小，所以快恢複麻豆国产一区的反向恢複時間較短，正向壓降較低，反向擊穿電壓（耐壓值）較高。從性能上，還能分為快恢複和超快恢複兩個等級。
檢測快恢複麻豆国产一区的方法與檢測普通麻豆国产一区的方法相同，都是根據麻豆国产一区的單向導電性，通過測量麻豆国产一区的正、反向電阻，可方便地判斷快恢複麻豆国产一区的好壞。一般將萬用表置於Rx1k擋，用黑表筆接麻豆国产一区的正極，紅表筆接麻豆国产一区的負極，正向電阻一般為幾歐姆，反向電阻為∞，如果測得的阻值均為∞或為0，則表明被測管子損壞。
快恢複麻豆国产一区屬於整流麻豆国产一区中的高頻麻豆国产一区，特點是它的反向恢複時間很短，這一點特別適合高頻率整流。快恢複麻豆国产一区的反向恢複時間是其性能的重要參數，反向恢複時間的定義是：麻豆国产一区從正向導通狀態急劇轉換到截止狀態，從輸出脈衝下降到零線開始，到反向電源恢複到最大反向電流的10％所需要的時間。常用符號trr表示，trr值越小的快恢複麻豆国产一区工作頻率越高。因為導通和截止轉換迅速，從而可以改善整流波形。
快恢複麻豆国产一区的內部結構與普通麻豆国产一区不同，普通整流麻豆国产一区是一個PN結，而快恢複麻豆国产一区PN結中間增加了基區I，構成PIN矽片。由於基區很薄，反向恢複電荷很小，所以快恢複麻豆国产一区的反向恢複時間較短。從電物理現象來解釋，導通狀態向截止狀態轉變時，麻豆国产一区在阻斷反向電流之前需要首先釋放上個周期存儲的電荷，這個放電時間被稱為反向恢複時間，反向恢複時間實際上是由電荷存儲效應引起的．反向恢複時間就是存儲電荷耗盡所需要的時間。
在業餘條件下，利用萬用表能檢測快恢複、超快恢複麻豆国产一区的單向導電性，以及內部有無開路、短路故障，並能測出正向導通壓降。若配以兆歐表，還能測量反向擊穿電壓。將萬用表置於Rx1k擋，測快恢複麻豆国产一区的正、反向電阻，正向電阻一般為幾歐姆，反向電阻為∞，如果測得的阻值均為∞或為0，則表明被測管子損壞。 快恢複麻豆国产一区的對管檢測方法與上述方法基本相同，但必須首先確定其共用端是哪個引腳，然後再用上述方法對各個快恢複麻豆国产一区進行檢測。
實例：測量一隻C90-02超快恢複麻豆国产一区，其主要參數為：trr=35ns，Id=5A，IFSM=50A，VRM=700V。外型同圖(a)。將500型萬用表撥至R×1檔，讀出正向電阻為6.4Ω，n′=19.5格；反向電阻則為無窮大。進一步求得VF=0.03V/格×19.5=0.585V。證明管子是好的。
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