快恢複管

快恢複麻豆国产一区（簡稱FRD）是一種具有開關(guan) 特性好、反向恢複時間短特點的半導體(ti) 麻豆国产一区，主要應用於(yu) 開關(guan) 電源、PWM脈寬調製器、變頻器等電子電路中，作為(wei) 高頻整流麻豆国产一区、續流麻豆国产一区或阻尼麻豆国产一区使用。

快恢複麻豆国产一区的內(nei) 部結構與(yu) 普通PN結麻豆国产一区不同，它屬於(yu) PIN結型麻豆国产一区，即在P型矽材料與(yu) N型矽材料中間增加了基區I，構成PIN矽片。因基區很薄，反向恢複電荷很小，所以快恢複麻豆国产一区的反向恢複時間較短，正向壓降較低，反向擊穿電壓（耐壓值）較高。

快恢複麻豆国产一区通常，5~20A的快恢複麻豆国产一区管采用TO–220FP塑料封裝，20A以上的大功率快恢複麻豆国产一区采用頂部帶金屬散熱片的TO–3P塑料封裝，5A以下的快恢複麻豆国产一区則采用DO–41、DO–15或DO–27等規格塑料封裝。

采用TO–220或TO–3P封裝的大功率快恢複麻豆国产一区，有單管和雙管之分。雙管的管腳引出方式又分為(wei) 共陽和共陰。

1．性能特點

1）反向恢複時間反向恢複時間tr的定義

是電流通過零點由正向轉換到規定低值的時間間隔。它是衡量高頻續流及整流器件性能的重要技術指標。反向恢複電流的波形如圖1所示。IF為(wei) 正向電流，IRM為(wei) 最大反向恢複電流。Irr為(wei) 反向恢複電流，通常規定Irr=0.1IRM。當t≤t0時，正向電流I=IF。當t＞t0時，由於(yu) 整流器件上的正向電壓突然變成反向電壓，因此正向電流迅速降低，在t=t1時刻，I=0。然後整流器件上流過反向電流IR，並且IR逐漸增大；在t=t2時刻達到最大反向恢複電流IRM值。此後受正向電壓的作用，反向電流逐漸減小，並在t=t3時刻達到規定值Irr。從(cong) t2到t3的反向恢複過程與(yu) 電容器放電過程有相似之處。

快恢複麻豆国产一区：有0.8-1.1V的正向導通壓降，35-85nS的反向恢複時間，在導通和截止之間迅速轉換，提高了器件的使用頻率並改善了波形。快恢複麻豆国产一区在製造工藝上采用摻金,單純的擴散等工藝,可獲得較高的開關(guan) 速度,同時也能得到較高的耐壓.目前快恢複麻豆国产一区主要應用在逆變電源中做整流元件。

2）快恢複、超快恢複麻豆国产一区的結構特點

20A以下的快恢複及超快恢複麻豆国产一区大多采用TO-220封裝形式。從(cong) 內(nei) 部結構看，可分成單管、對管（亦稱雙管）兩(liang) 種。對管內(nei) 部包含兩(liang) 隻快恢複麻豆国产一区，根據兩(liang) 隻麻豆国产一区接法的不同，又有共陰對管、共陽對管之分。圖2(a)是C20-04型快恢複麻豆国产一区（單管）的外形及內(nei) 部結構。(b)圖和(c)圖分別是C92-02型（共陰對管）、MUR1680A型（共陽對管）超快恢複麻豆国产一区的外形與(yu) 構造。它們(men) 均采用TO-220塑料封裝，
幾十安的快恢複麻豆国产一区一般采用TO-3P金屬殼封裝。更大容量（幾百安～幾千安）的管子則采用螺栓型或平板型封裝形式。

2．檢測方法

快恢複麻豆国产一区的內(nei) 部結構與(yu) 普通麻豆国产一区不同，它是在P型、N型矽材料中間增加了基區I，構成P-I-N矽片。由於(yu) 基區很薄，反向恢複電荷很小，不僅(jin) 大大減小了trr值，還降低了瞬態正向壓降，使管子能承受很高的反向工作電壓。快恢複麻豆国产一区的反向恢複時間一般為(wei) 幾百納秒，正向壓降約為(wei) 0.6V，正向電流是幾安培至幾千安培，反向峰值電壓可達幾百到幾千伏。超快恢複麻豆国产一区的反向恢複電荷進一步減小，使其trr可低至幾十納秒。

1）測量反向恢複時間

測量電路如圖3。由直流電流源供規定的IF，脈衝(chong) 發生器經過隔直電容器C加脈衝(chong) 信號，利用電子示波器觀察到的trr值，即是從(cong) I=0的時刻到IR=Irr時刻所經曆的時間。設器件內(nei) 部的反向恢電荷為(wei) Qrr，有關(guan) 係式：

trr≈2Qrr/IRM

由式(5.3.1)可知，當IRM為(wei) 一定時，反向恢複電荷愈小，反向恢複時間就愈短。

2）常規檢測方法

在業(ye) 餘(yu) 條件下，利用萬(wan) 用表能檢測快恢複、超快恢複麻豆国产一区的單向導電性，以及內(nei) 部有無開路、短路故障，並能測出正向導通壓降。若配以兆歐表，還能測量反向擊穿電壓。實例：測量一隻C90-02超快恢複麻豆国产一区，其主要參數為(wei) ：trr=35ns，Id=5A，IFSM=50A，VRM=700V。外型同圖(a)。將500型萬(wan) 用表撥至R×1檔，讀出正向電阻為(wei) 6.4Ω，n′=19.5格；反向電阻則為(wei) 無窮大。進一步求得VF=0.03V/格×19.5=0.585V。證明管子是好的。

常見快恢複麻豆国产一区參數表

注意事項：

1）有些單管，共三個(ge) 引腳，中間的為(wei) 空腳，一般在出廠時剪掉，但也有不剪的。
2）若對管中有一隻管子損壞，則可作為(wei) 單管使用。

3）測正向導通壓降時，必須使用R×1檔。若用R×1k檔，因測試電流太小，遠低於(yu) 管子的正常工作電流，故測出的VF值將明顯偏低。在上麵例子中，如果選擇R×1k檔測量，正向電阻就等於(yu) 2.2kΩ，此時n′=9格。由此計算出的VF值僅(jin) 0.27V，遠低於(yu) 正常值(0.6V)。

產品應用與介紹

快恢複麻豆国产一区采用TO-22O封裝(可按需求定製不同封裝)，反向恢複時間12ns~16ns，具有良好的高溫特性，屬於(yu) 新一代的低功耗、高效率的環保產(chan) 品。快恢複麻豆国产一区主要應用有源功率校正電路、開關(guan) 電源、PFC等領域做續流麻豆国产一区、整流麻豆国产一区使用。

快恢複麻豆国产一区型號