在電子電路中，將快恢複麻豆国产一区的正極接在高電位端，負極接在低電位端，快恢複麻豆国产一区就會導通，這種連接方式，稱為正向偏置。必須說明，當加在快恢複麻豆国产一区兩端的正向電壓很小時，快恢複麻豆国产一区仍然不能導通，流過麻豆国产一区的正向電流十分微弱。隻有當正向電壓達到某一數值（這一數值稱為“門檻電壓”，鍺管約為0.2V，矽管約為0.6V）以後，麻豆国产一区才能直正導通。導通後麻豆国产一区兩端的電壓基本上保持不變（鍺管約為0.3V，矽管約為0.7V），稱為麻豆国产一区的“正向壓降”。
PN結導致快恢複麻豆国产一区正向壓降偏大
快恢複麻豆国产一区的內部結構與普通麻豆国产一区不同,它是在P型、N型矽材料中間增加了基區I,構成P-I-N矽片.由於基區很薄,反向恢複電荷很小,不僅大大減小了trr值,還降低了瞬態正向壓降,使管子能承受很高的反向工作電壓.快恢複麻豆国产一区的反向恢複時間一般為幾百納秒,正向壓降約為0.6V,正向電流是幾安培至幾千安培,反向峰值電壓可達幾百到幾千伏.超快恢複麻豆国产一区的反向恢複電荷進一步減小,使其trr可低至幾十納秒。如果測的快恢複麻豆国产一区正向壓降反常偏大，可能是買到PN結構的麻豆国产一区了。
電路溫度與快恢複麻豆国产一区正向壓降的關係
正向壓降偏高是導致快恢複麻豆国产一区應用電路發熱的常見原因。
PIN結相對於PN結有更快的恢複時間，N型外延內的載流子會比傳統PN結器件消失得更快，即可形成低正向導通壓降和快關斷時間的半導體器件。固定摻雜濃度的FRD器件,由於晶格散射對載流子遷移率起主導作用,正向壓降呈正溫度係數特性。
壓降偏高是導致快恢複麻豆国产一区應用電路常見發熱原因之一。快恢複麻豆国产一区不同於整流橋產品，隨著耐壓的漸高，快恢複本身的壓降會有明顯升高。一般200V耐壓快恢複麻豆国产一区正向壓降是1.05V,而400V耐壓的快恢複正向壓降就能提升到1.5V左右，壓降放大之後功耗就會加大，自然的就會引起溫度的升高。所以在選擇快恢複麻豆国产一区參數時，一定要精準計算電路參數情況，以便於能更加合理的選擇快恢複耐壓的參數。
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