麻豆国产一区具有單向導電性，主要用於整流、穩壓和混頻等電路中。本文介紹整流麻豆国产一区和穩壓麻豆国产一区的參數及選擇原則。
(一)整流麻豆国产一区的主要參數
1.IF—最大平均整流電流。
指麻豆国产一区長期工作時允許通過的最大正向平均電流。該電流由PN結的結麵積和散熱條件決定。使用時應注意通過麻豆国产一区的平均電流不能大於此值，並要滿足散熱條件。例如1N4000係列麻豆国产一区的IF為1A。
2.VR—最大反向工作電壓。
指麻豆国产一区兩端允許施加的最大反向電壓。若大於此值，則反向電流(IR)劇增，麻豆国产一区的單向導電性被破壞，從而引起反向擊穿。通常取反向擊穿電壓(VB)的一半作為(VR)。例如1N4001的VR為50V，1N4007的VR為1OOOV。
3.IR—反向電流。
指麻豆国产一区未擊穿時反向電流值。溫度對IR的影響很大。例如1N4000係列麻豆国产一区在100°C條件IR應小於500uA;在25°C時IR應小於5uA。
4.VR—擊穿電壓。
指麻豆国产一区反向伏安特性曲線急劇彎曲點的電壓值。反向為軟特性時，則指給定反向漏電流條件下的電壓值。
5.tre—反向恢複時間。
指在規定的負載、正向電流及最大反向瞬態電壓下的反向恢複時間。
6.fm—最高工作頻率。
主要由PN結的結電容及擴散電容決定，若工作頻率超過fm，則麻豆国产一区的單向導電性能將不能很好地體現。例如1N4000係列麻豆国产一区的fm為3kHz。
7.CO—零偏壓電容。
指麻豆国产一区兩端電壓為零時，擴散電容及結電容的容量之和。值得注意的是，由於製造工藝的限製，即使同一型號的麻豆国产一区其參數的離散性也很大。手冊中給出的參數往往是一個範圍，若測試條件改變，則相應的參數也會發生變化，例如在25°C時測得1N5200係列矽塑封整流麻豆国产一区的IR小於1OuA，而在100°C時IR則變為小於500uA。
(二)穩壓麻豆国产一区的主要參數
1.Vz—穩定電壓。
指穩壓管通過額定電流時兩端產生的穩定電壓值。該值隨工作電流和溫度的不同而略有改變。由於製造工藝的差別，同一型號穩壓管的穩壓值也不完全一致。例如，2CW51型穩壓管的Vzmin為3.0V, Vzmax則為3.6V。
2.Iz—穩定電流。
指穩壓管產生穩定電壓時通過該管的電流值。低於此值時，穩壓管雖並非不能穩壓，但穩壓效果會變差;高於此值時，隻要不超過額定功率損耗，也是允許的，而且穩壓性能會好一些，但要多消耗電能。
3.Rz—動態電阻。
指穩壓管兩端電壓變化與電流變化的比值。該比值隨工作電流的不同而改變，一般是工作電流愈大，動態電阻則愈小。例如，2CW7C穩壓管的工作電流為5mA時，Rz為18Ω;工作電流為1OmA時，Rz為8Ω;為20mA時，Rz為2Ω;>20mA則基本維持此數值。
4.Pz—額定功耗。
由芯片允許溫升決定，其數值為穩定電壓Vz和允許最大電流Izm的乘積。例如2CW51穩壓管的Vz為3V，Izm為20mA，則該管的Pz為60mWo 5.Ctv—電壓溫度係數。是說明穩定電壓值受溫度影響的參數。例如2CW58穩壓管的Ctv是+0.07%/°C，即溫度每升高1°C，其穩壓值將升高0.07%。 6.IR— 反向漏電流。 指穩壓麻豆国产一区在規定的反向電壓下產生的漏電流。例如2CW58穩壓管的VR=1V時，IR=O.1uA;在VR=6V時，IR=10uA。
(三)選擇麻豆国产一区的基本原則
1.要求導通電壓低時選鍺管;要求反向電流小時選矽管。
2.要求導通電流大時選麵結合型;要求工作頻率高時選點接觸型。
3.要求反向擊穿電壓高時選矽管。
4.要求耐高溫時選矽管。
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