一種將交流電能轉變為直流電能的半導體器件。通常它包含一個PN結，有正極和負極兩個端子。麻豆国产一区最重要的特性就是單方向導電性。在電路中，電流隻能從麻豆国产一区的正極流入，負極流出。

整流麻豆国产一区是利用PN結的單向導電特性，把交流電變成脈動直流電。整流麻豆国产一区漏電流較大，多數采用麵接觸性料封裝的麻豆国产一区。整流麻豆国产一区的外形如圖1所示，另外，整流麻豆国产一区的參數除前麵介紹的幾個外，還有最大整流電流，是指整流麻豆国产一区長時間的工作所允許通過的最大電流值。它是整流麻豆国产一区的主要參數，是選項用整流麻豆国产一区的主要依據。

肖特基麻豆国产一区是以其發明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基勢壘麻豆国产一区（SchottkyBarrierDiode，縮寫成SBD）的簡稱。SBD不是利用P型半導體與N型半導體接觸形成PN結原理製作的，而是利用金屬與半導體接觸形成的金屬－半導體結原理製作的。因此，SBD也稱為金屬－半導體（接觸）麻豆国产一区或表麵勢壘麻豆国产一区，它是一種熱載流子麻豆国产一区。

肖特基麻豆国产一区是貴金屬（金、銀、鋁、鉑等）A為正極，以N型半導體B為負極，利用二者接觸麵上形成的勢壘具有整流特性而製成的金屬-半導體器件。因為N型半導體中存在著大量的電子，貴金屬中僅有極少量的自由電子，所以電子便從濃度高的B中向濃度低的A中擴散。顯然，金屬A中沒有空穴，也就不存在空穴自A向B的擴散運動。隨著電子不斷從B擴散到A，B表麵電子濃度逐漸降低，表麵電中性被破壞，於是就形成勢壘，其電場方向為B→A。但在該電場作用之下，A中的電子也會產生從A→B的漂移運動，從而消弱了由於擴散運動而形成的電場。當建立起一定寬度的空間電荷區後，電場引起的電子漂移運動和濃度不同引起的電子擴散運動達到相對的平衡，便形成了肖特基勢壘。
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